CN115884604A 一种光突触晶体管及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115884604A(43)申请公布日2023.03.31

(21)申请号202211516563.7H10K71/00(2023.01)

(22)申请日2022.11.30

(71)申请人南京邮电大学

地址210003江苏省南京市鼓楼区新模范

马路66号

(72)发明人邵赫李粤青凌海峰解令海黄维

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

专利代理师姜梦翔

(51)Int.CI.

H10K10/46(2023.01)

H10K85/50(2023.01)

H10K85/10(2023.01)

B82Y15/00(2011.01)

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种光突触晶体管及其制作方法

(57)摘要CuCuP3HT/CsPbBr?NPLsPMMASiO?本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种光突触晶体管及其制作方法，以P3HT与钙钛矿纳米片共混作为半导体层，可以通过简单的溶液旋涂法制备，得益于钙钛矿纳米片的高载流子传输效率和高的光吸收系数，本器件在极低的工作电压(-0.0005V)、较弱的光脉冲强度(0.4mWcm-2)和较短的光照时间(20ms)下的单个突触功耗仅为0.053fJ,本发明提供的突触晶体

(57)摘要

Cu

Cu

P3HT/CsPbBr?NPLs

PMMA

SiO?

CN

CN115884604A

Si

CN115884604A权利要求书1/2页

2

1.一种光突触晶体管，其特征在于：自下而上包括：栅电极、栅绝缘层、有机半导体层、源漏电极；

所述有机半导体层由p-型有机聚合物半导体P3HT和钙钛矿纳米片CsPbBr?NPLs混合涂覆构成，所述有机半导体层的厚度为20～40nm;所述p-型有机聚合物半导体P3HT的分子量大于40000;所述钙钛矿纳米片CsPbBr?NPLs平均尺寸为50nm;其中P3HT与CsPbBr?NPLs的体积比为2:1;

所述栅电极采用的材料为选自高掺杂硅、A1、Cu、Au、Ag或Pt中的一种；

所述栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，所述栅绝缘层采用的材料为氧化硅和聚甲基丙烯酸甲酯PMMA,所述氧化硅直接覆盖于栅电极上，PMMA层的厚度为20～40nm;

所述源漏电极生长在导电沟道两侧，其采用的材料为Cu、Au或Pt中的一种，其厚度为60~100nm,所述源极与漏极之间导电沟道的长为50～200μm,所述源极与漏极之间导电沟道的宽为1000～2000μm。

2.根据权利要求1所述的光突触晶体管，其特征在于：所述源漏电极的制备方法为真空蒸镀法或磁控溅射法。

3.一种光突触晶体管的制作方法，其特征在于：所述光突触晶体管的制作方法，包括如下步骤：

步骤(1),先采用热注入法、后采用溶剂生长法合成钙钛矿纳米片CsPbBr?NPLs,并分散于有机溶剂中；

步骤(2),分别称取P3HT、PMMA溶于有机溶剂，P3HT的浓度为1mg/mL;PMMA的浓度为5mg/mL,加入磁子搅拌至完全溶解；

步骤(3)将P3HT溶液和CsPbBr?NPLs溶液以体积比2:1的比例混合作为半导体层溶液；

步骤(4),分别使用丙酮、乙醇和去离子水对硅片进行超声清洗8～10min,然后用高纯氮气吹干表面后烘干；

步骤(5),将干燥洁净的覆盖有氧化硅栅绝缘层的基片采用紫外臭氧处理10～20min;

步骤(6),利用溶液旋涂法在步骤(5)中洁净的基片上面，首先旋涂PMMA栅绝缘层，转速为3000r/min,旋涂时间30s,所述栅绝缘层厚度控制在20～40nm;退火后继续旋涂P3HT/CsPbBr?NPLs混合溶液，转速为1000r/min,旋涂时间50s,厚度控制在20～40nm;将旋涂好的样品放于加热平台上100℃进行退火处理30min;

步骤(7),在步骤(6)中退火好的样品上面真空蒸镀源漏电极。

4.根据权利要求3所述的光突触晶体管的制作方法，其特征在于，所述钙钛矿纳米片CsPbBr?NPLs的具体制备过程包括以下步骤：将质量比为1:46的碳酸铯和油酸在真空环境下100℃反应30min