CN115889152A 一种提高柔性pmut器件性能的结构及其制作方法 (上海大学).docxVIP

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  • 2026-01-31 发布于重庆
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CN115889152A 一种提高柔性pmut器件性能的结构及其制作方法 (上海大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115889152A(43)申请公布日2023.04.04

(21)申请号202211278493.6

(22)申请日2022.10.19

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人任青华陈俊虹周群辉古元冬

(74)专利代理机构北京卓胜佰达知识产权代理有限公司16026

专利代理师刘冬梅

(51)Int.CI.

B06B1/06(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图8页

(54)发明名称

一种提高柔性PMUT器件性能的结构及其制

作方法

(57)摘要

CN115889152A本发明公开了一种提高柔性PMUT器件性能的结构及其制作方法,包括:压电薄膜结构,粘结层和柔性衬底;压电薄膜结构从上至下依次为:顶电极、压电层、底电极、支撑层和填充层。制作步骤:在刚性PMUT的顶部旋涂保护层并加热固化;将压电薄膜结构与刚性衬底分离,得到压电薄膜结构;对支撑层进行图案化刻蚀,形成通孔;向通孔内填充柔性材料,对支撑层的未刻蚀部分进行柔性材料的旋涂,形成粘结层;将所得结构转移到带有空腔的柔性衬底上;对所得结构进行加热固化;将所得结构浸泡在有机溶液中除去保护层后得到柔性PMUT结构。本发明制作工艺简单,通过柔性材料填充支撑层,增加了PMUT

CN115889152A

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CN115889152A权利要求书1/2页

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1.一种提高柔性PMUT器件性能的结构,其特征在于,

所述PMUT器件从上到下依次为:压电薄膜结构、粘结层(115)和柔性衬底(116);

所述压电薄膜结构从上至下依次为:顶电极(110)、压电层(111)、底电极(112)、支撑层(113)和填充层(114);

所述支撑层(113)上设置有图案化的通孔;

所述通孔使用柔性材料填充形成填充层(114);

所述柔性衬底上设置有空腔。

2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,

所述柔性衬底材料为聚酰亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙酸甲酯、氯乙烯和聚四氟乙烯中的一种;

所述柔性材料为聚酰亚胺、聚硅氧烷和聚四氟乙烯中的一种。

3.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,

所述柔性材料与所述粘结层材料相同。

4.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,

所述空腔的深度与所述柔性衬底的厚度一致。

5.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,

所述通孔深度与所述支撑层厚度相同,所述通孔形状为圆环、方环、含十字的圆环和含十字的方环中的一种。

6.权利要求1-5任一项所述的提高柔性PMUT器件性能的结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)在刚性PMUT的顶部旋涂保护层并加热固化;

2)将刚性PMUT的压电薄膜结构与所述刚性衬底分离,得到所述压电薄膜结构;

3)对所述压电薄膜结构进行图案化刻蚀,在支撑层上形成通孔;

4)向所述支撑层的通孔内填充柔性材料,然后对所述支撑层进行所述柔性材料的旋涂,形成粘结层;

5)将步骤4)所得结构转移到带有空腔的柔性衬底上;

6)对步骤5)所得结构进行加热固化;

7)将步骤6)所得结构浸泡在有机溶液中除去所述保护层后得到柔性PMUT结构。

7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,

步骤1)所述刚性PMUT,在空腔对应的范围内无氧化硅,只在刚性衬底与压电结构衔接处保留。

8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,

步骤1)所述保护层为不易被酸腐蚀的有机物。

9.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,

步骤2)具体为:

2.1将旋涂保护层后的所述刚性PMUT放入强酸溶液中浸泡至所述刚性衬底脱落,分离所述刚性PMUT的所述压电薄膜结构与所述刚性衬底;

2.2从所述强酸溶液中取出所述压电薄膜结构并清洗。

10.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,

3

CN115889152A权利要求书2/2页

步骤5)所述带有空腔的柔性衬底是通过图案化的高精度激光刻蚀对所述柔性衬底进行刻蚀得到所述空腔。

CN115889152A说明书

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