CN115877616A 微纳调光器件及其制作方法、控制方法 （北京京东方技术开发有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115877616A(43)申请公布日2023.03.31

(21)申请号202111153734.X

(22)申请日2021.09.29

(71)申请人北京京东方技术开发有限公司

地址100176北京市北京经济技术开发区

地泽路9号1幢407室

申请人京东方科技集团股份有限公司

(72)发明人周健

G01SG01S

17/10(2020.01)7/51(2006.01)

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事

务所(普通合伙)11201专利代理师吴婷

(51)Int.CI.

GO2F1/1343(2006.01)

GO2F1/1335(2006.01)

GO2F1/133(2006.01)

G01S17/89(2020.01)

权利要求书3页说明书12页附图8页

(54)发明名称

微纳调光器件及其制作方法、控制方法

(57)摘要

CN115877616A本发明提出了微纳调光器件及其制作方法、控制方法，包括：第一基板；第一图案化电极，第一图案化电极位于第一基板的一侧，第一图案化电极包括至少一个第一子电极，液晶层，液晶层位于第一图案化电极远离第一基板的一侧，液晶层包括液晶主体和介质柱结构，介质柱结构包括至少一个子介质柱，子介质柱与第一子电极一一对应，且相对应的子介质柱在第一基板上的正投影与第一子电极在第一基板上的正投影至少部分交叠；第二电极，第二电极位于液晶层远离第一图案化电极的一侧；第二基板，第二基板位于第二电极远离液晶的一侧。由此，可通过介质柱

CN115877616A

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CN115877616A权利要求书1/3页

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1.一种微纳调光器件，其特征在于，包括：

第一基板；

第一图案化电极，所述第一图案化电极位于所述第一基板的一侧，所述第一图案化电极包括至少一个第一子电极，

液晶层，所述液晶层位于所述第一图案化电极远离所述第一基板的一侧，所述液晶层包括液晶主体和介质柱结构，所述介质柱结构包括至少一个子介质柱，所述子介质柱与所述第一子电极一一对应，且相对应的所述子介质柱在所述第一基板上的正投影与所述第一子电极在所述第一基板上的正投影至少部分交叠；

第二电极，所述第二电极位于所述液晶层远离所述第一图案化电极的一侧；

第二基板，所述第二基板位于所述第二电极远离所述液晶的一侧。

2.根据权利要求1所述的微纳调光器件，其特征在于，所述介质柱结构的材料为氮化硅、二氧化钛、氮化镓和硅中的至少之一。

3.根据权利要求1所述的微纳调光器件，其特征在于，所述子介质柱的高度为400-800nm,所述子介质柱的直径为40-200nm。

4.根据权利要求1所述的微纳调光器件，其特征在于，相对应的所述子介质柱在所述第一基板上的正投影位于所述第一子电极在所述第一基板上的正投影内部。

5.根据权利要求1所述的微纳调光器件，其特征在于，所述液晶层关态时的折射率与所述液晶层开态时的折射率差值不小于0.2。

6.根据权利要求1所述的微纳调光器件，其特征在于，所述第二电极为图案化电极，所述第二电极包括多个第二子电极，所述子介质柱与所述第二子电极一一对应，且相对应的所述子介质柱在所述第一基板上的正投影位于所述第二子电极在所述第一基板上的正投影内部。

7.根据权利要求1所述的微纳调光器件，其特征在于，所述微纳调光器件的面积小于2.5平方微米。

8.一种制作权利要求1-7任一项所述的微纳调光器件的方法，其特征在于，包括：

在所述第一基板的一侧形成第一电极层；

在所述第一电极层远离所述第一基板的一侧形成介质柱层；

在所述介质柱层远离所述第一电极层的一侧形成第一光学胶层；

对所述第一光学胶层进行第一图案化处理，以形成第一图案化光学胶层；

对所述介质柱层进行第一刻蚀处理，以形成介质柱结构；

对所述第一电极层进行第二刻蚀处理，以形成第一图案化电极；

提供具有第二电极的第二基板；

将所述第一基板具有所述第一图案化电极的一侧表面与所述第二基板具有所述第二

电极的一侧表面对合，以在所述第一基板和所述第二基板之间形成密闭空间；

向所述密闭空间内注入液晶材料，以获得所述微纳调光器件。

9.根据权利要