CN115678774A 一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用 （华中科技大学同济医学院附属同济医院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115678774A(43)申请公布日2023.02.03

(21)申请号202211242365.6

(22)申请日2022.10.11

(71)申请人华中科技大学同济医学院附属同济

医院

地址430030湖北省武汉市解放大道1095

号

(72)发明人王世宣吴桐张金金

(74)专利代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司11570

专利代理师代春茹

(51)Int.CI.

C12M3/00(2006.01)

C12M1/00(2006.01)

C12M1/14(2006.01)

C12MC12N

1/36(2006.01)5/071(2010.01)

C12M1/12(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用

(57)摘要

CN115678774A本申请涉及一种卵巢器官芯片、制作方法及其应用，所述卵巢器官芯片由四层结构封接而成，自上而下依次为卵巢芯片上层、卵泡培养层、多孔滤膜层和卵巢芯片下层，卵巢芯片上层的上层培养基灌流室上端通过上层灌流通道与上层入口池相通，下端通过上层灌流通道与上层出口池相通；卵巢芯片下层的下层培养基灌流室上端通过下层灌流通道与下层入口池相通，下端通过下层灌流通道与下层出口池相通；所述卵泡培养层上设有圆孔或圆柱。本发明通过构建卵巢器官芯片，在体外模仿卵巢内实质细胞的生理环境和病理改变，从而进行激素合成、卵巢发育与成熟、疾病发生机制、肿瘤的发生发展与侵袭转移等研

CN115678774A

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CN115678774A权利要求书1/2页

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1.一种卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵巢器官芯片由四层结构封接而成，自上而下依次为卵巢芯片上层(1)、卵泡培养层(2)、多孔滤膜层(3)和卵巢芯片下层(4),所述卵巢芯片上层(1)包括上层入口池(5)、上层培养基灌流室(6)、上层出口池(7)和上层灌流通道(8);所述上层培养基灌流室(6)上端通过上层灌流通道(8)与上层入口池(5)相通，下端通过上层灌流通道(8)与上层出口池(7)相通；所述卵巢芯片下层(4)包含下层入口池(12)、下层培养基灌流室(13)、下层出口池(14)和下层灌流通道(15),所述下层培养基灌流室(13)上端通过下层灌流通道(15)与下层入口池(12)相通，下端通过下层灌流通道(15)与下层出口池(14)相通；所述卵巢芯片上层(1)和卵巢芯片下层(4)的灌流通道所在方向互相垂直；所述卵泡培养层(2)上设有圆孔(9)或圆柱(10)。

2.根据权利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵巢芯片上层(1)、所述卵泡培养层(2)和所述卵巢芯片下层(4)所用材料包括但不限于聚二甲基硅氧烷PDMS、聚苯乙烯、玻璃和聚己内酯PCL中的至少一种或组合。

3.根据权利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，分别使用独立的微泵对所述卵巢芯片上层(1)和所述卵巢芯片下层(4)进行控制，所述微泵的流速为10-1000μL/h。

4.根据权利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵巢器官芯片的封接方式包括但不限于PDMS胶体粘合连接、氧气等离子体不可逆封接或环氧树脂封接中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述圆孔(9)或圆柱(10)呈阵列通量，个数为10-200。

6.根据权利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵泡培养层(2)上设有圆孔

(9),构成蜂巢状卵巢芯片，圆孔(9)与多孔滤膜层(3)形成细胞培养小室(16),细胞培养小室(16)具有不同孔径结构，孔径直径为30-700μm,深度为50-700μm,越靠近上层入口池(5),细胞培养小室(16)直径越小、深度越浅。

7.根据权利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述卵泡培养层(2)上设有圆柱(10),构成栅格状卵巢芯片，圆柱(10)与多孔滤膜层(3)形成细胞培养栅格，通过阻挡卵泡进行培养，圆柱(10)之间具有不同的间距，间距范围为30-700μm,高度为50-700μm,圆柱直径为30-100μm,越靠近上层入口池(5),圆柱(10)之间的间距越大。

8.根据权利要求1所述的卵巢器官芯片，其特征在于，所述多孔滤膜层(3)包括一个多孔滤膜(11),所述多孔滤膜(11)的成分包括聚碳酸