CN115662847B 基于x波段的串联接触式射频mems开关及其制作方法 （山东科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115662847B

(45)授权公告日2023.03.14

(21)申请号202211429912.1

(22)申请日2022.11.16

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115662847A

(43)申请公布日2023.01.31

(73)专利权人山东科技大学

地址266590山东省青岛市黄岛区前湾港

路579号

(72)发明人宋戈冯辉李明月陈达刘一剑

(74)专利代理机构青岛锦佳专利代理事务所(普通合伙)37283

专利代理师朱玉建

(51)Int.CI.

HO1H59/00(2006.01)

H01H1/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

(56)对比文件

CN112255432AA,2021.01.22

CN106298371AA,2017.01.04

CN208315475UA,2019.01.01

US2019019838A1A,2019.01.17US2021111537A1A,2021.04.15GB0023248D0A,2000.11.01

CN103943421AA,2014.07.23

CN114203487AA,2022.03.18

US2009153258A1A,2009.06.18WO2013057759A1A,2013.04.25WO2017215254A1A,2017.12.21

审查员郭利娜

权利要求书2页说明书7页附图8页

(54)发明名称

基于X波段的串联接触式射频MEMS开关及其制作方法

(57)摘要

CN115662847B本发明属于射频MEMS开关技术领域，具体公开了一种基于X波段的串联接触式射频MEMS开关及其制作方法。其中，为了解决高驱动电压与可靠性之间的矛盾，本发明设计了一种具有五段式弹簧弯曲结构的可移动电极，其等效弹簧系数较小，因而该可移动电极在保证射频性能的情况下能够有效地减小驱动电压。此外，为了抑制趋肤效应的影响，本发明优化了可移动电极的中心梁结构，在中心梁上增加了触点且合理设计了内外触点的宽度，在提升S参数性能的同时，在一定程度上抑制了趋肤效应。由于本发明射频MEMS开关是基于微带线结构的射频

CN115662847B

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CN115662847B权利要求书1/2页

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1.基于X波段的串联接触式射频MEMS开关，其特征在于，包括接地层、衬底、绝缘层、信号线、驱动电极、可移动电极以及锚点；

其中，接地层、衬底以及绝缘层由下向上依次设置；信号线、驱动电极以及锚点均设置于所述绝缘层的上表面上，且结构布置如下：

信号线包括沿第一方向对称设置的第一信号线以及第二信号线；

其中，第一方向为信号传输的方向；

驱动电极位于所述第一信号线与第二信号线的中间位置，且三者互不相连；

锚点包括在第二方向上关于所述驱动电极对称设置的第一锚点和第二锚点；其中，该第二方向为在水平方向上与所述第一方向垂直的方向；

可移动电极位于驱动电极的上方，且与驱动电极和信号线之间在竖直方向上存在间隙；

可移动电极包括中心梁以及关于该中心梁的中心点呈奇对称的两个弹簧弯曲结构；定义两个弹簧弯曲结构分别为第一弹簧弯曲结构和第二弹簧弯曲结构；

每个所述弹簧弯曲结构均采用五段式结构，且任意相邻两段之间为垂直连接；每个所述弹簧弯曲结构均对所述中心梁形成半包围结构；

所述弹簧弯曲结构由五段长方体结构组成；

定义五段长方体结构分别为第一、第二、第三、第四以及第五段长方体；

第一段长方体的一端与锚点相连，第一段长方体的另一端与第二段长方体的一端垂直相连；第二段长方体的另一端与第三段长方体的一端垂直相连；

第三段长方体与第一段长方体平行；

第三段长方体的另一端与第四段长方体的一端垂直相连；第四段长方体与第二段长方体平行，且第四段长方体的另一端与第五段长方体的一端垂直相连；

第五段长方体连接至中心梁上，且与第一段长方体、第三段长方体平行；

由所述第二、第三、第四以及第五段长方体组成的整体对所述中心梁形成半包围结构；

两个弹簧弯曲结构的内侧端分别连接至中心梁的一组相对角部，第一弹簧弯曲结构的外侧端连接至第一锚点上，第二弹簧弯曲结构的外侧端连接至第二锚点上；

当驱动电极上施加有驱动电压时，可移动电极向下运动并与第一信号线以及第二信号线同时接触连接，射频MEMS开关导通，射频信号沿所述第一方向传输。

2.根据权利要求1所述的基于X波段的串联接触式射