CN115498019A 一种降低双极正向压降的SiC MPS二极管及其制作方法 （西安龙飞电气技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115498019A(43)申请公布日2022.12.20

(21)申请号202211186647.9

(22)申请日2022.09.28

(71)申请人西安龙飞电气技术有限公司

地址710018陕西省西安市未央区经济技

术开发区凤城十二路凯瑞A座304-04

室

(72)发明人刘青曹琳郑丽君

(74)专利代理机构西安新思维专利商标事务所有限公司61114

专利代理师李罡

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/872(2006.01)

HO1L21/329(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种降低双极正向压降的SiCMPS二极管及其制作方法

(57)摘要

CN115498019A本发明公开了一种降低正向压降的SiCJBS二极管及其制作方法，所述的降低双极正向压降的SiCMPS二极管，包括n+-SiC衬底，衬底上依次为n-SiC漂移区，n-SiC漂移区上表面具有若干沟槽，在沟槽里填充若干p+-Ni0区，正面覆盖有