CN114613836A 三维存储器及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114613836A(43)申请公布日2022.06.10

(21)申请号202210010263.5

(22)申请日2022.01.06

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人孔翠翠张中周文犀

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师徐雯张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L27/1157(2017.01)

H01L27/11582(2017.01)

权利要求书2页说明书12页附图11页

(54)发明名称

CN114613836A(57)摘要本发明实施例提供了一种三维存储器及其

CN114613836A

(57)摘要

本发明实施例提供了一种三维存储器及其制作方法。其中，所述三维存储器包括：至少一个存储面；所述存储面中设置有堆叠结构、多条贯穿所述堆叠结构的第一栅极线狭缝结构及多个贯穿所述堆叠结构的隔离结构；其中，所述多条第一栅极线狭缝结构沿第一方向延伸将所述存储面分成多个存储块；所述隔离结构位于所述存储面的边缘且沿第二方向延伸与所述多条第一栅极线狭缝结构接触，所述第一方向与所述第二方向交叉。

三维存储器

存储面

堆叠结构

第一栅极线狭缝结构

隔离结构

201

2011

2012

2013

CN114613836A权利要求书1/2页

2

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：至少一个存储面；所述存储面中设置有堆叠结构、多条贯穿所述堆叠结构的第一栅极线狭缝结构及多个贯穿所述堆叠结构的隔离结构；

其中，

所述多条第一栅极线狭缝结构沿第一方向延伸将所述存储面分成多个存储块；

所述隔离结构位于所述存储面的边缘且沿第二方向延伸与所述多条第一栅极线狭缝结构接触，所述第一方向与所述第二方向交叉。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，

至少一条所述第一栅极线狭缝结构所在的直线沿第一方向超出相应隔离结构所在的直线；

和/或，

至少一个所述隔离结构所在的直线沿第二方向超出相应第一栅极线狭缝结构所在的直线。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构包括台阶区、位于所述台阶区相对两侧的第一虚设区和第二虚设区、位于所述台阶区和第一虚设区之间的第一核心存储区及位于所述台阶区和第二虚设区之间的第二核心存储区；其中，所述多个隔离结构分别设置在所述第一虚设区中和所述第二虚设区中。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一核心存储区和第二核心存储区中设置有多个存储沟道孔；所述第一虚设区和所述第二虚设区中设置有多个虚设沟道孔。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述存储面中还设置有多条贯穿所述堆叠结构的第二栅极线狭缝结构；

所述第二栅极线狭缝结构沿所述第一方向延伸，且包括多个间隔设置的子栅极线狭缝结构。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，

每个所述隔离结构与所述多条第二栅极线狭缝结构均接触。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，每个所述存储块中设置有M行存储沟道孔；所述M为大于1的正整数。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构至少包括第一子堆叠结构及位于所述第一子堆叠结构上的第二子堆叠结构；

所述第一子堆叠结构中设置有第一子沟道孔；

所述第二子堆叠结构中设置有第二子沟道孔；

所述第一子沟道孔与所述第二子沟道孔在第三方向上连通；所述第三方向与所述堆叠结构的堆叠方向平行。

9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离结构与所述第一栅极线狭缝结构一体成型。

10.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器包括至少一个存储面，形成所述存储面的方法包括：

形成堆叠结构；

形成多条贯穿所述堆叠结构的第一栅极线狭缝结构及多个贯穿所述堆叠结构的隔离

CN114613836A权利要求书2/2页

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结构；其中，

所述多条第一栅极线狭缝结构沿第一方向延伸将所述存储面分成多个存储块；

所述隔离结构位于所述存储面的边缘且沿第二方向延伸与所述多条第