CN114613779A 三维存储器及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114613779A(43)申请公布日2022.06.10

(21)申请号202210010302.1

(22)申请日2022.01.06

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人孔翠翠张中周文犀

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师张雪张颖玲

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L27/11582(2017.01)

权利要求书2页说明书15页附图10页

(54)发明名称

三维存储器及其制作方法

(57)摘要

CN114613779A本发明实施例提供了一种三维存储器及其制作方法。其中，所述三维存储器包括：至少一个存储面；所述存储面中设置有堆叠结构、若干贯穿所述堆叠结构的虚设沟道孔结构、多条贯穿所述堆叠结构的栅极线狭缝结构及多条贯穿所述堆叠结构的虚设沟槽结构；其中，所述虚设沟道孔结构的虚设沟道孔及所述虚设沟槽结构的虚设沟槽在同一制程中形成；所述多条栅极线狭缝结构沿第一方向延伸且将所述存储面分成多个存储块；所述虚设沟槽结构位于所述存储面的边缘且沿第二方向延伸与所述多条栅极线狭缝结

CN114613779A

CN114613779A权利要求书1/2页

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1.一种三维存储器，其特征在于，包括：至少一个存储面；所述存储面中设置有堆叠结构、若干贯穿所述堆叠结构的虚设沟道孔结构、多条贯穿所述堆叠结构的栅极线狭缝结构及多条贯穿所述堆叠结构的虚设沟槽结构；其中，

所述虚设沟道孔结构的虚设沟道孔及所述虚设沟槽结构的虚设沟槽在同一制程中形成；

所述多条栅极线狭缝结构沿第一方向延伸且将所述存储面分成多个存储块；

所述虚设沟槽结构位于所述存储面的边缘且沿第二方向延伸与所述多条栅极线狭缝结构接触，所述第一方向与所述第二方向交叉。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，每条所述虚设沟槽结构包括多个第一部分及与所述多个第一部分接触的第二部分；

其中，所述多个第一部分均位于所述第二部分的一侧；所述第一部分和所述第二部分包围所述栅极线狭缝结构的端部，或者，所述第一部分包围所述栅极线狭缝结构的端部。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，至少一条所述栅极线狭缝结构所在的直线沿第一方向超出相应虚设沟槽结构的第二部分所在的直线；

和/或，

至少一条所述虚设沟槽结构的第二部分所在的直线沿第二方向超出相应栅极线狭缝结构所在的直线。

4.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第二部分的形状包括长条状；所述第一部分包含至少一个向所述第二部分方向陷入的凹陷。

5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极线狭缝结构中靠近所述第一部分的端部位于所述凹陷内；

和/或，

所述栅极线狭缝结构与所述第二部分接触。

6.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述第一部分在所述第二方向上的宽度大于所述栅极线狭缝结构在所述第二方向上的宽度。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构包括台阶区、位于所述台阶区相对两侧的第一虚设区和第二虚设区、位于所述台阶区和第一虚设区中间的第一核心存储区及位于所述台阶区的第二虚设区中间的第二核心存储区；

其中，所述多条虚设沟道孔结构分别设置在所述第一虚设区中和所述第二虚设区中；所述第一核心存储区和第二核心存储区中设置有多个存储沟道孔结构；所述第一虚设区和所述第二虚设区中设置有多个虚设沟道孔结构。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述存储面中还设置有若干贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔结构；每个所述存储块中设置有M行存储沟道孔结构；所述M为大于1的正整数。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠结构至少包括第一子堆叠结构及位于所述第一子堆叠结构上的第二子堆叠结构；

所述存储沟道孔结构包括存储沟道孔及位于所述存储沟道孔中的存储结构；

所述存储沟道孔包括设置在所述第一子堆叠结构中的第一子存储沟道孔及设置在所述第二子堆叠结构中且与所述第一子存储沟道孔连通的第二子存储沟道孔。

CN114613779A权利要求书