CN115172378A 存储器及其制作方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115172378A(43)申请公布日2022.10.11

(21)申请号202210793163.4

(22)申请日2022.07.05

(66)本国优先权数据

PCT/CN2021/1155942021.08.31CN

PCT/CN2021/1155452021.08.31CN

PCT/CN2021/1156522021.08.31CN

PCT/CN2021/1157042021.08.31CN

PCT/CN2021/1157432021.08.31CN

PCT/CN2021/1157752021.08.31CN

PCT/CN2021/1158202021.08.31CN

PCT/CN2021/1220222021.09.30CN

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人陈赫朱宏斌刘威

(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270

专利代理师高洁徐川

(51)Int.CI.

H01L

H01L

H01L

H01L

G11C

27/11548(2017.01)

27/11556(2017.01)

27/11575(2017.01)

27/11582(2017.01)5/02(2006.01)

权利要求书3页说明书16页附图6页

(54)发明名称

存储器及其制作方法、存储器系统

(57)摘要

本公开实施例公开了一种存储器及其制作

方法、存储器系统。存储器具有第一区域和第二

区域，存储器包括：第一半导体层，包括：沿第一

方向并列设置的第一部分和第二部分；其中，第

一部分位于第一区域，第二部分位于第二区域；

沿第二方向，第一部分的长度小于第二部分的长度；每个存储单元包括第一晶体管；其中，第一晶体管位于第一区域中，第一晶体管的沟道沿第二

CN115172378A方向延伸；外围电路，位于第二区域中，且耦合至存储单元阵列，包括：至少两个第二晶体管；至少一个隔离结构，沿第二方向贯穿第二部分，且位于相邻的两个第二晶体管之间，用于电隔离相邻

CN115172378A

CN115172378A权利要求书1/3页

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1.一种存储器，其特征在于，所述存储器具有第一区域和第二区域，所述存储器包括：

第一半导体层，包括：沿第一方向并列设置的第一部分和第二部分；其中，所述第一部分位于所述第一区域，所述第二部分位于所述第二区域；沿第二方向，所述第一部分的长度小于所述第二部分的长度；所述第一方向平行于所述第一半导体层所在的平面，所述第二方向垂直于所述第一半导体层所在的平面；

存储单元阵列，包括：阵列排布的多个存储单元，每个所述存储单元包括第一晶体管以及和所述第一晶体管耦合的储能元件；其中，所述第一晶体管位于所述第一区域中，所述第一晶体管的沟道沿所述第二方向延伸；

外围电路，位于所述第二区域中，且耦合至所述存储单元阵列，包括：至少两个第二晶体管；

至少一个隔离结构，沿所述第二方向贯穿所述第二部分，且位于相邻的两个所述第二晶体管之间，用于电隔离相邻的两个所述第二晶体管；

其中，沿所述第二方向，所述隔离结构的长度大于所述第一晶体管的沟道的长度。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述隔离结构相对靠近所述外围电路的一端与所述第一晶体管相对靠近所述外围电路的一端基本平齐。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一部分相对靠近所述存储单元阵列的表面与所述第二部分相对靠近所述外围电路的表面基本平齐；

所述第一部分相对远离所述存储单元阵列的表面与所述第二部分相对远离所述外围电路的表面不平齐。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一半导体层包括：相对设置的第一表面和第二表面；所述存储器还包括：

第一介质层，覆盖所述外围电路和所述隔离结构；其中，所述第一介质层相对靠近所述第一表面；

第二介质层，覆盖所述第一半导体层、所述隔离结构和所述第一晶体管；其中，所述第二介质层相对靠近所述第二表面；

互连结构，位于所述第一介质层中，且与所述外围电路耦合；

第一导电结构，包括：

第一导电层，位于所述第二介质层