CN114937689A 一种平面型SiC IGBT及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114937689A(43)申请公布日2022.08.23

(21)申请号202210631154.5

(22)申请日2022.06.06

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平吴庆霖张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

专利代理师霍淑利

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/06(2006.01)

29/16(2006.01)

29/739(2006.01)

21/331(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图15页

(54)发明名称

一种平面型SiCIGBT及其制作方法

(57)摘要

CN114937689A本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种平面型SiCIGBT及其制作方法。本发明可以在几乎不影响SiCIGBT性能的同时，提高其短路性能，并降低栅电极与漏电极间电容Cgd,减小器件的开关损耗，满足实际使用中的需求。通过在JFET区域y方向引入间隔的P型掺杂区，其与P型基区相连，减小器件的沟道密度，降低饱和电流，从而