CN114497410A 一种图案化量子点膜、量子点发光器件及制作方法 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114497410A(43)申请公布日2022.05.13

(21)申请号202011167191.2

(22)申请日2020.10.27

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人梅文海

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291

专利代理师金俊姬

(51)Int.CI.

HO1L51/52(2006.01)

HO1L51/50(2006.01)

HO1L51/56(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种图案化量子点膜、量子点发光器件及制

作方法

(57)摘要

CN114497410A本发明公开了一种图案化量子点膜、量子点发光器件及制作方法，以改善现有技术利用超声清洗去除部分量子点膜层以实现量子点膜层图案化时，存在会对量子点造成损伤，导致量子点器件效果不佳的问题。所述图案化量子点膜包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧具有多个图案部的量子点膜层；所述图案部包括量子点本体和保护结构，所述保护结构包括由至少两种不同聚合物在预设条件下各自交联形成聚合物网

CN114497410A

S

光照聚合

未形成互穿网络

形成互穿网络后

第一种聚合物

S

第二种聚合物

CN114497410A权利要求书1/2页

2

1.一种图案化量子点膜，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧具有多个图案部的量子点膜层；所述图案部包括量子点本体和保护结构，所述保护结构包括由至少两种不同聚合物在预设条件下各自交联形成聚合物网络，并由所述聚合物网络相互穿插形成的互穿网络结构。

2.如权利要求1所述的图案化量子点膜，其特征在于，所述图案部包括叠层设置的量子点部和保护部，所述保护部位于所述量子点部的背离所述衬底基板的一侧；所述量子点本体位于所述量子点部内，所述保护结构位于所述保护部内。

3.如权利要求1所述的图案化量子点膜，其特征在于，所述图案部为一体结构，所述量子点本体、所述保护结构混合于所述图案部中。

4.如权利要求2或3所述的图案化量子点膜，其特征在于，每一种所述聚合物中包括有光交联基团，所述聚合物在紫外光照射时通过所述光交联基团发生相互交联形成所述聚合物网络。

5.如权利要求4所述的图案化量子点膜，其特征在于，所述聚合物包括环氧基团，丙烯酸酯基团，或异戊二烯基团。

6.如权利要求1所述的图案化量子点膜，其特征在于，所述保护结构包括以下结构：

以及

7.一种量子点发光器件，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的图案化量子点膜。

8.一种图案化量子点膜的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的一侧形成牺牲薄膜；

在所述牺牲薄膜背离所述衬底基板的一侧形成在第一区域以外具有光刻胶的图案化光刻胶层；

在图案化所述光刻胶层的遮挡下对所述牺牲薄膜刻蚀，形成在所述第一区域以外具有所述牺牲薄膜的牺牲层；

在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成包括量子点本体以及至少两种聚合物的量子点膜层，并通过预设条件对所述第一区域的所述量子点膜层进行处理，以使所述第一区域的至少两种所述聚合物各自交联形成聚合物网络，并由所述聚合物网络相互穿插形成互穿网络结构；

通过所述互穿网络结构对所述第一区域所述量子点本体保护，采用超声清洗，去除所述第一区域以外的所述牺牲薄膜，并去除附着于所述牺牲薄膜的所述光刻胶、所述量子点膜层，形成具有多个图案部的量子点膜层。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层的背离所述牺牲层

CN114497410A权利要求书2/2页

3

的一侧形成包括量子点本体以及至少两种聚合物的量子点膜层，并通过预设条件对所述第一区域的所述量子点膜层进行处理，包括：

在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成包括量子点本体的量子点薄膜；

将包括有一种所述聚合物的第一溶液形成在所述量子点薄膜的背离所述光刻胶层的一侧，并通过紫外光对所述第一区域照射；

将包括有另一种所述聚合物的第二溶液形成在所述量子点薄膜的背离所述光刻胶层的一侧，并通过紫外光对所述第一区域照射。