CN114496988A 脑电波处理系统的再布线封装结构及其制作方法 （宁波德葳智能科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114496988A(43)申请公布日2022.05.13

(21)申请号202210407133.5

(22)申请日2022.04.19

(71)申请人宁波德葳智能科技有限公司

地址315504浙江省宁波市奉化区汇明路

98号(千人创业园5幢2号)

(72)发明人程海洋张恒运

林挺宇林海斌徐庆全

(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104

专利代理师陈丽丽

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

23/538(2006.01)25/16(2006.01)21/768(2006.01)

权利要求书3页说明书10页

附图4页

(54)发明名称

脑电波处理系统的再布线封装结构及其制

作方法

(57)摘要

CN114496688A本发明涉及集成电路封装技术领域，具体公开了一种脑电波处理系统的再布线封装结构，其中，包括：第一布线层封装体、第二布线层封装体、有源器件结构层、无源器件结构层、第一模塑结构和第二模塑结构；无源器件结构层设置在第一布线层封装体上，第一模塑结构设置在第一布线层封装体上且包覆无源器件结构层；第二布线层封装体设置在第一模塑结构背离第一布线层封装体的表面；有源器件结构层设置在第二布线层封装体上，第二模塑结构设置在第二布线层封装体上且包覆有源器件结构层。本发明还公开了脑电波处理系统的再布线封装结构的制作方法。

CN114496688A

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CN114496988A权利要求书1/3页

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1.一种脑电波处理系统的再布线封装结构，其特征在于，包括：

第一布线层封装体、第二布线层封装体、有源器件结构层、无源器件结构层、第一模塑结构和第二模塑结构；

所述无源器件结构层设置在所述第一布线层封装体上，且与所述第一布线层封装体通过第一金属结构连接，所述第一模塑结构设置在所述第一布线层封装体上且包覆所述无源器件结构层，其中所述无源器件结构层包括脑电信号处理模组中的无源器件；

所述第二布线层封装体设置在所述第一模塑结构背离所述第一布线层封装体的表面，且通过位于所述第一模塑结构内的第一连接结构与所述第一布线层封装体连接；

所述有源器件结构层设置在所述第二布线层封装体上，且与所述第二布线层封装体通过第二金属结构连接，所述第二模塑结构设置在所述第二布线层封装体上且包覆所述有源器件结构层，其中所述有源器件结构层包括脑电信号处理模组中的有源器件；

所述第一布线层封装体包括第一封装体结构和至少两层重布线层，每相邻两层重布线层之间以及每层重布线层的外围均被所述第一封装体结构包覆，每相邻两层重布线层之间的第一封装体结构内设置第二连接结构，每相邻两层重布线层通过所述第二连接结构连接，所述第一布线层封装体背离所述无源器件结构层的表面设置第三金属结构；

所第二布线层封装体包括第二封装体结构和至少一层重布线层，每层重布线层的外围均被所述第二封装体结构包覆。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一布线层封装体包括依次间隔设置的三层重布线层，每相邻两层重布线层之间的第一封装体结构形成第一钝化层。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二连接结构包括设置在所述第一钝化层内的第一通孔以及填充在所述第一通孔内的金属，所述第一通孔连接每相邻两层的重布线层。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一金属结构包括第二通孔和设置在所述第二通孔内的第一焊球，所述第二通孔设置在所述第一封装体结构靠近所述无源器件结构层的第一钝化层内，且所述第二通孔连通所述无源器件结构层和靠近所述无源器件结构层的重布线层。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二布线层封装体包括一层重布线层，包覆该一层重布线层的第二封装体结构形成第二钝化层。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二金属结构包括第三通孔和设置在所述第三通孔中的第二焊球，所述第三通孔设置在所述第二钝化层内，且所述第三通孔连通所述有源器件结构层和所述第二布线层封装体中的一层重布线层。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第三金属结构包括第三焊球。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一