CN114464682A 具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114464682A(43)申请公布日2022.05.10

(21)申请号202210198842.7

(22)申请日2022.03.02

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人段宝兴李明哲杨银堂

(74)专利代理机构西安智邦专利商标代理有限公司61211

专利代理师唐沛

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN114464682A本发明公开了一种具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法。该器件在衬底上半部分设置部分折叠状结构；折叠漂移区表面淀积应力介质层，应力介质层表面覆盖延伸栅电极，位于应力介质层上方的平面延伸栅电极与平面漏区消除全折叠结构拐角处的电场集中，避免在拐角处发生提前击穿，器件的击穿电压提高。应力介质层通过三个面两个维度向漂移区施加沿X方向的积极应力，该积极应力在漂移区内叠加从而诱导漂移区内载流子迁移率提高；同时，器件在关断状态时，漂移区最优掺杂浓度提高；在开启状态时，漂移区表面形成载流子

CN114464682A

CN114464682A权利要求书1/2页

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1.一种具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：包括半导体材料的衬底(1);衬底(1)上半部分通过沟槽刻蚀工艺形成部分折叠状结构；

衬底(1)下半部分的左右两侧分别形成有基区(2)和漂移区(3);

基区(2)表面形成有源区(4);

漂移区(3)对应的非折叠状结构区域形成有漏区(5);

源区(4)的左侧形成有基区衬底接触(6);

在折叠状结构处且对应于漂移区的部分形成有缓冲层(7)和应力介质层(8),且缓冲层(7)和应力介质层(8)均成倒“U”字形，缓冲层(7)位于应力介质层(8)与漂移区(3)之间，应力介质层(8)的长度与漂移区(3)长度相当，应力介质层(8)右边界位于漂移区(3)中漏区(5)一侧，应力介质层(8)左边界靠近漂移区(3)和基区(2)分界线的右侧；

在折叠状结构处且对应于基区(2)的部分形成有栅绝缘层(9);

在栅绝缘层(9)表面以及应力介质层(8)的顶部形成有延伸栅电极(10);延伸栅电极(10)长度根据耐压需求进行调整；

在折叠状结构处且对应于源区(4)与基区衬底接触(6)的部分形成有源电极(11);源电极(11)呈倒“U”字形；

漏区(5)的顶面形成有平板结构的漏电极(12)。

2.根据权利要求1所述的具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：折叠状结构中凸起的高度与凸起的宽度比值范围为1～4。

3.根据权利要求1所述的具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：折叠状结构中凸起的宽度与衬底宽度之比范围是1/4～1/2。

4.根据权利要求1所述的具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：位于凸起顶部的应力介质层(8)厚度与飘移区长度之比范围是1/20～1/5。

5.根据权利要求1所述的具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：应力介质层(8)厚度与缓冲层(7)厚度之比为10～100。

6.根据权利要求1所述的具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管，其特征在于：应力介质层(8)本征应力大小的典型值为2Gpa～4Gpa。

7.一种制作权利要求1所述具有应力介质层的横向双扩散半导体场效应晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1:取半导体材料作为衬底(1);

步骤2:在衬底(1)上通过离子注入或热扩散工艺形成基区(2)和漂移区(3);

步骤3:在基区(2)和漂移区(3)通过离子注入分别形成源区(4)与漏区(5);

步骤4:在基区(2)中源区(4)外侧通过离子注入形成基区衬底接触(6);

步骤5:在衬底(1)表面漏区(5)之外的区域通过等离子刻蚀形成部分折叠状结构；

步骤6:在衬底(1)表面生长缓冲层(7);

步骤7:在缓冲层(7)上淀积应力介质层(8),通过调整淀积工艺参数，介质层(8)具有本征应力；

步骤8:通过