CN114420678A 一种电容器结构及其制作方法 （威海嘉瑞光电科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114420678A

(43)申请公布日2022.04.29

(21)申请号202210314864.5

(22)申请日2022.03.29

(71)申请人威海嘉瑞光电科技股份有限公司地址264200山东省威海市经济技术开发

区崮山镇皂埠路南、金诺路西厂房

(72)发明人李文晓

(74)专利代理机构苏州三英知识产权代理有限公司32412

代理人潘时伟

(51)Int.CI.

HO1L23/64(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种电容器结构及其制作方法

(57)摘要

CN114420678A本发明提供了一种电容器结构及其制作方法，涉及半导体芯片封装制造领域。本发明先形成电容介质层，再形成在电容介质层上的第一电极层，然后通过混合键合形成第一电极层的电互连，最后再形成第二电极层，这样可以使得电容

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1.一种电容器结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供临时衬底，在所述临时衬底上设置一层解离层；

(2)在所述解离层上形成一牺牲介质层，并蚀刻所述牺牲介质层形成阵列排布的多个介质柱；

(3)沉积电容介质层，所述电容介质层覆盖所述介质柱的顶面和侧壁以及所述介质柱之间露出的解离层；

(4)在所述电容介质层上沉积第一电极层，所述第一电极层覆盖所述电容介质层，并通过蚀刻工艺去除多个介质柱之间的第一电极层以使得第一电极层形成为多个倒V型的分立图案结构；

(5)在所述第一电极层上覆盖支撑介质层，并进行平坦化；

(6)形成与所述第一电极层电连接的第一接触图案，所述第一接触图案与所述支撑介质层共面形成第一键合面；

(7)提供功能衬底，所述功能衬底上包括一电连接层，所述电连接层的上表面构成为第二键合面，并将所述第一键合面与第二键合进行键合，以使得第一接触图案电连接所述电连接层；

(8)通过所述解离层移除所述临时衬底，以使得所述电容介质层的一部分外露；

(9)去除多个介质柱，以完全露出所述电容介质层；

(10)在所述电容介质层上沉积第二电极层。

2.根据权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于：还包括步骤(11),在所述第二电极层上形成一层间介质层，并通过蚀刻和填充工艺，在所述层间介质层中形成电连接所述第二电极层的第二接触图案。

3.根据权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于：所述多个介质柱为圆台形状，且在步骤(3)中，所述电容介质层在所述多个介质柱之间的部分与所述解离层直接接触。

4.根据权利要求2所述的电容器结构的制作方法，其特征在于：所述牺牲介质层与所述电容介质层的材质完全不同，所述牺牲介质层与所述支撑介质层的材质完全不同。

5.根据权利要求2所述的电容器结构的制作方法，其特征在于：在步骤(7)中，将所述第一键合面与第二键合进行键合的方式为混合键合，具体的，所述电连接层包括与第一接触图案对应设置的电连接图案以及在电连接图案之间的顶层介质层，其中所述顶层介质层与所述支撑介质层直接热压键合，所述第一接触图案与所述电连接图案之间热压键合。

6.根据权利要求5所述的电容器结构的制作方法，其特征在于：所述功能衬底内包括存储器阵列，该存储器阵列与所述电容器结构通过所述第一接触图案和所述电连接图案电连接。

7.一种电容器结构，其由权利要求1-6任一项所述的电容器结构的制作方法形成，其特征在于，该电容器结构包括：

功能衬底；

电连接层，设置于所述功能衬底上；

第一接触图案，电连接于所述电连接层；

支撑介质层，设置于所述电连接层上，且具有多个通孔，多个通孔的底部露出所述第一

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接触图案；

第一电极层，包括设置于所述多个通孔中的多个分立图案结构，多个分立图案结构共形于所述多个通孔的侧壁和底部；

电容介质层，覆盖于所述第一电极层上；以及

第二电极层，覆盖于所述电容介质层上；

其中，所述第一接触图案与所述电连接层键合接合于一体。

8.根据权利要求7所述的电容器结构，其特征在于：还包括层间介质层，覆盖于所述第二电极层上；第二接触图案，形成