CN114420535A 一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法 （上海至纯洁净系统科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114420535A布日2022.04.29

(21)申请号202111643637.9

(22)申请日2021.12.29

(71)申请人上海至纯洁净系统科技股份有限公

司

地址200241上海市闵行区紫海路170号

申请人至微半导体(上海)有限公司

(72)发明人刘大威邓信甫张九勤

(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人竺路玲

(51)Int.CI.

HO1L21/02(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法

(57)摘要

CN114420535A本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法，包括：步骤S1:形成一牺牲层，于所述牺牲层表面蚀刻形成多条沟槽；步骤S2:于所述牺牲层上沉积形成一外延层；所述外延层的材质为所述三五族化合物；步骤S3:对所述牺牲层进行蚀刻以去除所述牺牲层，以及所述外延层的底部区域；步骤S4:于所述外延层上形成衬底，以完成一外延片。本发明的有益效果在于：通过设置牺牲层对三五族化合物材质的外延层底部进行剥离，去除了晶格缺陷较多的外延层底部区域，避免了现有技术中三五族化合物在沉积过程中底部区

CN114420535A

S1

S1

步骤S1:形成一牺牲层，于牺牲层表面蚀刻形成多条沟槽；

S2

步骤S2:于牺牲层上沉积形成一外延层；

步骤S3:对牺牲层进行蚀刻以去除牺牲层，以及外延层的底部区域；

S4

步骤S4:于外延层上形成衬底，以完成一外延片。

CN114420535A权利要求书1/1页

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1.一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法，其特征在于，包括：

步骤S1:形成一牺牲层，于所述牺牲层表面蚀刻形成多条沟槽；

步骤S2:于所述牺牲层上沉积形成一外延层；

所述外延层的材质为所述三五族化合物；

步骤S3:对所述牺牲层进行蚀刻以去除所述牺牲层，以及所述外延层的底部区域；

步骤S4:于所述外延层上形成衬底，以完成一外延片。

2.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，三五族化合物为砷化镓或磷化铟或氮化镓。

3.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11:形成所述牺牲层；

步骤S12:于所述牺牲层上沉积形成一掩膜层；

步骤S13:根据所述掩膜层于所述牺牲层上蚀刻出所述沟槽。

4.根据权利要求3所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S13中，采用一湿法蚀刻方法形成所述沟槽；

所述湿法蚀刻方法的蚀刻液包括稀氢氟酸、稀硝酸、稀盐酸双氧水混合液、硫酸双氧水混合液和磷酸中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述掩膜层上设置有掩膜图案，所述掩膜图案为网格状或条纹状。

6.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤S31:翻转并暴露所述牺牲层；

步骤S32:采用湿法蚀刻方法去除所述牺牲层，并去除一预定厚度的所述外延层；

步骤S33:对所述外延层进行化学机械抛光。

7.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

步骤S41:于所述外延层上蚀刻形成微结构；

步骤S42:于所述外延层上沉积形成所述衬底；

步骤S43:翻转所述外延层以完成所述外延片。

8.根据权利要求1所述的外延片湿法制作方法，其特征在于，所述衬底的材质为硅或蓝宝石或氮化镓铝。

CN114420535A说明书1/4页

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一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于三五族化合物的外延片湿法制作方法。

背景技术

[0002]三五族化合物，是元素周期表中III族的B,A1,Ga,In和V族的N,P,As,Sb形成的化合物，主要包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴极电性