CN114446910A 芯片结构、封装结构及芯片结构的制作方法、绑定方法 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114446910A(43)申请公布日2022.05.06

(21)申请号202011197007.9

(22)申请日2020.10.30

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人刘宗民段立业黄继景侯孟军

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112

专利代理师李迎亚姜春咸

(51

Int.CL.HO1L

HO1LHO1LHO5K

23/482(2006.01)21/60(2006.01)

21/603(2006.01)1/18(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

芯片结构、封装结构及芯片结构的制作方法、绑定方法

(57)摘要

本申请涉及显示领域，提供一种芯片结构、封装结构及芯片结构的制作方法、绑定方法，该芯片结构包括至少一个芯片主体，芯片主体包括至少一个射频前端器件，芯片结构还包括与芯片主体层叠设置的重布线层和设置在重布线层上的至少一个引脚；每个射频前端器件都对应有引脚，引脚通过贯穿重布线层的电连接件与相应的射频前端器件电连接，并且，射频前端器件的延伸方向与和该射频前端器件对应的引脚的延伸

CN114446910A方向一致，引脚背离重布线层的表面为第一平

CN114446910A

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CN114446910A权利要求书1/2页

2

1.一种芯片结构，所述芯片结构包括至少一个芯片主体，所述芯片主体包括至少一个射频前端器件，其特征在于，所述芯片结构还包括与所述芯片主体层叠设置的重布线层和设置在所述重布线层上的至少一个引脚；

每个所述射频前端器件都对应有所述引脚，所述引脚通过贯穿所述重布线层的电连接件与相应的射频前端器件电连接，并且，所述射频前端器件的延伸方向与和该射频前端器件对应的引脚的延伸方向一致，所述引脚背离所述重布线层的表面为第一平面。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第一平面的形状为矩形，所述射频前端器件朝向所述引脚的表面也为矩形。

3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述矩形的尺寸在2mm×50mm以内。

4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述重布线层上形成有通孔，所述电连接件设置在所述通孔中，所述电连接件包括沿背离所述射频前端器件的方向依次设置的第一导电连接层、第二导电连接层和导电连接本体，所述导电连接本体用于与所述引脚连

接，

所述第一导电连接层覆盖所述通孔的侧壁和底壁，并且与所述射频前端器件电连接，所述第二导电连接层覆盖所述第一导电连接层，并形成二级孔，所述连接件本体形成在所述二级孔中，且所述导电连接本体与所述引脚电连接。

5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述重布线层为钝化层。

6.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片主体包括射频入口区域、射频出口区域及电源区域，所述射频入口区域、所述射频出口区域和所述电源区域分别设置有至少一个所述射频前端器件。

7.根据权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片主体与所述重布线层接触的表面为矩形，所述射频入口区域包括多个对称分布在所述矩形的两个相对的边上的子入口区域，每个子入口区域设置有一个所述射频前端器件，所述射频出口区域包括多个对称分布在所述矩形的两个相对的边上的子出口区域，每个子出口区域设置有一个所述射频前端器件，所述电源区域包括多个对称分布在所述矩形的两个相对的边上的子电源区域，每个子电源区域设置有一个所述射频前端器件。

8.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述引脚、所述导电连接本体及所述第二导电连接层的材质相同。

9.根据权利要求8所述的芯片结构，其特征在于，所述引脚、所述导电连接本体及所述第二导电连接层的材质均为金；所述第一导电连接层包括钛金属层和/或钨金属层。

10.一种封装结构，其特征在于，包括柔性线路板和权利要求1-9任意一项所述的芯片结构，所述柔性线路板上包括电连接盘，所述电连接盘与所述引脚电连接。

11.一种芯片结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供至少一个芯片主体，所述芯片主体包括至少一个射频前端器件；

在所述芯片主体上形成重布线层；

在所述重布线层上形成至少一个引脚，且所述引脚通过贯穿所述重布线层的电连接件与相应的射频前端器件电连接，并使每个所