CN114420762A 一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114420762A

(43)申请公布日2022.04.29

(21)申请号202011170073.7

(22)申请日2020.10.28

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人王利忠周天民胡合合许晓春姚念琦薛大鹏董水浪

(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243

代理人黄灿顾春天

(51)Int.CI.

HO1L29/786(2006.01)

HO1L27/12(2006.01)

HO1L21/34(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置

(57)摘要

CN114420762A本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置。氧化物薄膜晶体管包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率；所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第二金属氧化物层覆盖

CN114420762A

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CN114420762A权利要求书1/2页

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1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率；

所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第二金属氧化物层覆盖所述第一金属氧化物层的所述侧面。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏金属层位于所述第二金属氧化物层远离所述第一金属氧化物层的一侧，所述第二金属氧化物层上开设有过孔或盲孔，所述过孔或所述盲孔沿垂直于所述衬底的方向延伸，所述源漏金属层通过所述过孔或所述盲孔与所述第一金属氧化物层电连接。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物层的材料包括非晶状态的金属氧化物，所述第二金属氧化物层的材料包括结晶状态的金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属氧化物层的材料在X射线衍射图谱中的结晶峰位于29°至32°范围内。

5.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层的材料包括铟镓锌氧化物IGZ0,且在相同的刻蚀环境下，所述第二金属氧化物层的刻蚀速率为所述第一金属氧化物层的刻蚀速率的1至10倍。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物层的禁带宽度为2.3～2.8电子伏特，所述第二金属氧化物层的禁带宽度为2.8至3.5电子伏特。

7.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括第三金属氧化物层，所述第三金属氧化物层位于所述第一金属氧化物层远离所述第二金属氧化物层的一侧，所述第一金属氧化物层在所述第三金属氧化物层上的正投影的范围小于或等于所述第三金属氧化物层的范围，所述第三金属氧化物层的材料和结晶程度与所述第二金属氧化物层相同。

8.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括第四金属氧化物层，所述第四金属氧化物层位于所述第二金属氧化物层远离所述第一金属氧化物层的一侧，在垂直于所述衬底的方向上，所述第四金属氧化物层覆盖所述第二金属氧化物层的侧面；

所述第四金属氧化物层材料包括IGZ0,所述第四金属氧化物层的结晶程度大于所述第二金属氧化物层的材料的结晶程度，所述第四金属氧化物层的禁带宽度为3.0至3.5电子伏特。