CN114420753A HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法 （江苏第三代半导体研究院有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114420753A

(43)申请公布日2022.04.29

(21)申请号202011174655.2

(22)申请日2020.10.28

(71)申请人江苏第三代半导体研究院有限公司地址215000江苏省苏州市工业园区金鸡

湖大道99号苏州纳米城中北区23幢

214室

(72)发明人王国斌王建峰徐科

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

代理人赵世发王锋

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

H01L29/10(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

(54)发明名称

HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法

(57)摘要

CN114420753A本发明公开了一种HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法。所述基于GaN衬底的HEMT外延结构包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层、沟道层和接触层。本发明基于N面GaN衬底的特性，提出全新外延结构的HEMT器件，与传统结构相比具有更高的频率特性；以及，GaN衬底以及半绝缘特性能够通过前期制备完成，可以避免后期生长高阻外延层带来的不利影响；并且同质外延不存在异质衬底上高密度位错缓冲层的问题，在外延

CN114420753A

InN接触层

GaN沟道层

AIN隔离层

AIGaN势垒层

AIN界面处理层

N面半绝缘GaN自支撑衬底

CN114420753A权利要求书1/1页

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1.一种基于GaN衬底的HEMT外延结构，其特征在于包括在N面极性的半绝缘GaN衬底上依次形成的界面处理层、势垒层、隔离层和沟道层。

2.根据权利要求1所述的HEMT外延结构，其特征在于，所述界面处理层的生长条件包括：以50-80%的氢气和20-50%的氨气为原料，于1050C～1100C、400～700mbar条件下反应5～10分钟，然后以0～50umol/min的流量通入Al源；

优选的，所述界面处理层的材质包括A1N,优选的，所述界面处理层的厚度为2-5nm。

3.根据权利要求1所述的HEMT外延结构，其特征在于，所述势垒层的材质包括AlGaN或InGaN,其中，A1或In组分的含量为15-100%,所述势垒层的厚度为15-25nm。

4.根据权利要求1所述的HEMT外延结构，其特征在于，所述隔离层的材质包括AlN,厚度为0.5-1nm;

优选的，所述沟道层的材质包括GaN、InN、InGaN或AlGaN,厚度为100～300nm,其中，AlGaN的A1组分含量为为0-15%,InGaN的In组分含量为0-15%。

5.根据权利要求1所述的HEMT外延结构，其特征在于，所述沟道层上还形成有接触层，所述接触层的材质包括InN,厚度为1-3nm。

6.权利要求1-5中任一项所述HEMT外延结构的制作方法，其特征在于包括：

提供N面极性的半绝缘GaN衬底；

在N面极性的半绝缘GaN衬底上生长形成界面处理层，并且所述界面处理层的生长条件包括：以50-80%的氢气和20-50%的氨气为原料，于1050C～1100C、400～700mbar条件下反应5～10分钟，然后以0～50umol/min的流量通入A1源；

在所述界面处理层上依次生长势垒层、隔离层和沟道层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于还包括：在所述沟道层上生长接触层。

8.一种HEMT器件，其特征在于包括：

权利要求1-5中任一项所述的HEMT外延结构；

以及，与所述HEMT外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述栅极分布在源极和漏极之间。

9.如权利要求8所述的HEMT器件，其特征在于，所述源极、漏极均与接触层电性结合。

10.如权利要求8所述的HEMT器件，其特征在于，所述栅极与接触层之间还分布有栅介质层。

CN114420753A说明书1/6页

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HEMT器件、基于GaN衬底的HEMT外延结构及制作方法

技术