CN114388527A 存储器的制作方法、存储器及存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114388527A

(43)申请公布日2022.04.22

(21)申请号202210021158.1

(22)申请日2022.01.10

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人吴林春

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人孟霞

(51)Int.CI.

HO1L27/1157(2017.01)

HO1L27/11582(2017.01)

H01L27/11575(2017.01)

权利要求书3页说明书11页附图9页

(54)发明名称

存储器的制作方法、存储器及存储器系统

(57)摘要

CN114388527A本申请提供一种存储器的制作方法、存储器及存储器系统，该存储器的制作方法包括：在衬底上形成第一停止层；在该第一停止层中形成凹槽，该凹槽贯穿该第一停止层并延伸至该衬底内；在该第一停止层上形成第二停止层，该第二停止层覆盖该凹槽的内壁；在该第二停止层上形成堆栈层，该堆栈层中形成有贯穿该堆栈层且延伸至该衬底内的存储沟道结构；在该堆栈层中形成栅极缝隙，该栅极缝隙贯穿该堆栈层和该凹槽内的该第二停止层，并延伸至该衬底内；在该堆栈层中形成栅极结构，并在该栅极缝隙中形成栅极缝隙结构，从而能在栅极置换工艺中防止第一停止层发生翘起，进而避免堆栈层发生鼓包现

CN114388527A

在衬底上形成第

在衬底上形成第一停止层

S102

在该第一停止层中形成四槽，该四槽贯穿该第一停止层并延伸至该村底内

S103

在该第一停止层上形成第二停止层，该第二停止层覆盖该回槽的内壁

在该第二停止层上形成堆栈层，该堆栈层中形成有贯穿该堆栈层且延伸至该村底内的存储沟道结构

在该堆栈层中形成栅极缝隙，该栅极缝隙贯穿该堆栈层和该四槽内的该第二停止层，并延仲至该村底内

S106

在该堆栈层中形成栅极结构，并在该栅极缝隙中形成极缝隙结构

S104

S105

CN114388527A权利要求书1/3页

2

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一停止层；

在所述第一停止层中形成凹槽，所述凹槽贯穿所述第一停止层并延伸至所述衬底内；在所述第一停止层上形成第二停止层，所述第二停止层覆盖所述凹槽的内壁；

在所述第二停止层上形成堆栈层，所述堆栈层中形成有贯穿所述堆栈层且延伸至所述衬底内的存储沟道结构；

在所述堆栈层中形成栅极缝隙，所述栅极缝隙贯穿所述堆栈层和所述凹槽内的所述第二停止层，并延伸至所述衬底内；

在所述堆栈层中形成栅极结构，并在所述栅极缝隙中形成栅极缝隙结构。

2.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一停止层之前，还包括：在所述衬底上形成第一间隔层，所述第一停止层位于所述第一间隔层上；

在所述衬底上形成第一停止层之后，还包括：在所述第一停止层上形成第二间隔层，其中，所述凹槽贯穿所述第一间隔层、所述第一停止层和所述第二间隔层，并延伸至所述衬底内。

3.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一停止层之后，还包括：对所述第一停止层进行掺杂处理。

4.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一停止层之后，还包括：

对所述第一停止层表面进行含氮物表面处理。

5.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一停止层上形成第二停止层之后，还包括：

在所述第二停止层上形成第三间隔层，所述第二停止层和所述第三间隔层填满所述凹槽；

去除所述凹槽之外的部分所述第三间隔层，或者去除所述凹槽之外的全部所述第三间隔层。

6.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁和底壁之间的夹角范围为100°~120°。

7.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述第一停止层上形成第二停止层之后，还包括：

对所述第二停止层表面进行含氮物表面处理。

8.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一停止层和所述第二停止层的材料均包括多晶硅。

9.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一停止层的氧化速率大于所述第二停止层的氧化速率。

10.根据权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述凹槽