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- 2026-02-05 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114236919A
(43)申请公布日2022.03.25
(21)申请号202111574156.7
(22)申请日2021.12.21
(71)申请人京东方科技集团股份有限公司
地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号
(72)发明人顾仁权李士佩薛汶青张立震何伟吴慧利赵建军王大军黎午升
(74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413
代理人何家鹏丁芸
(51)Int.CI.
GO2F1/1343(2006.01)
HO1L27/32(2006.01)
权利要求书2页说明书8页附图5页
(54)发明名称
显示面板及其制作方法、显示装置
(57)摘要
CN114236919A本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个像素单元;所述像素单元包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的像素电极,以及在所述显示面板的厚度方向上与所述像素电极相对设置的公共电极;所述显示面板还包括覆盖所述薄膜晶体管设置的保护层,所述保护层设置在所述像素电极和所述公共电极之间;所述公共电极和所述像素电极之一包括多个条状子电极,在所述保护层的背离所述薄膜晶体管的一侧的表面形成有沟槽,所述条状子电极设置在所述沟槽的侧壁上。本申请实施例通过将像
CN114236919A
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光线
CN114236919A权利要求书1/2页
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1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个像素单元;
所述像素单元包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的像素电极,以及在所述显示面板的厚度方向上与所述像素电极相对设置的公共电极;
所述显示面板还包括覆盖所述薄膜晶体管设置的保护层,所述保护层设置在所述像素电极和所述公共电极之间;
所述公共电极和所述像素电极之一包括多个条状子电极,在所述保护层的背离所述薄膜晶体管的一侧的表面形成有沟槽,所述条状子电极设置在所述沟槽的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极,所述像素电极与所述第一极或所述第二极连接。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极设置在所述保护层的靠近所述薄膜晶体管的一侧,所述公共电极设置在所述保护层的背离所述薄膜晶体管的一侧,所述公共电极包括多个所述条状子电极。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极设置在所述保护层的背离所述薄膜晶体管的一侧,所述公共电极设置在所述保护层的靠近所述薄膜晶体管的一侧,所述像素电极包括多个所述条状子电极。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置在所述栅极和所述有源层之间的栅极绝缘层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述公共电极和所述像素电极为透明金属氧化物。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管连接的像素电极;
形成覆盖薄膜晶体管和像素电极的保护层;
在保护层的背离薄膜晶体管的一侧,通过涂覆光刻胶、曝光以及刻蚀,形成沟槽;
在所述保护层上制作出公共电极,其中,在所述沟槽的侧壁上制作出所述公共电极的条状子电极。
8.根据权利要求7所述显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述沟槽的侧壁上制作出所述公共电极的条状子电极的步骤,包括:
在形成沟槽后,保留沟槽周边区域的光刻胶,在光刻胶上、沟槽的底部以及侧壁上沉积导电薄膜层;
利用光刻工艺对导电薄膜层加工,以在沟槽的侧壁上制作出所述条状子电极。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和公共电极;
形成覆盖薄膜晶体管和公共电极的保护层;
在保护层的背离薄膜晶体管的一侧,通过涂覆光刻胶、曝光以及刻蚀,形成沟槽;
在所述保护层上制作出像素电极,其中,在所述沟槽的侧壁上制作出所述像素电极的条状子电极。
CN114236919A权利要求书2/2页
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10.根据权利要求9所述显示面板的
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