CN114284209A 半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114284209A

(43)申请公布日2022.04.05

(21)申请号202111650909.8

(22)申请日2021.12.30

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人彭进郑祖辉向政姚祥王锐

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人孟霞

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

HO1L23/532(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

半导体器件的制作方法、半导体器件及存储

器

(57)摘要

101

本发明实施例公开了一种半导体器件的制

提供基底以及位于所述基底上的多条金属线，所述多条金属线间隔分布

作方法、半导体器件及存储器。所述方法包括：提供基底以及位于所述基底上的多条金属线，所述

102

多条金属线间隔分布；在所述多条金属线之间形

在所述多条金属线之间形成中空介质层

成中空介质层；在所述金属线和所述中空介质层

103

上形成层间介质层，所述层间介质层与所述中空

在所述金属线和所述中空介质层上形成层间介质层，所述层间

介质层的刻蚀速率不同。本发明实施例能够至少部分避免金属线之间的空气隙被破坏，降低金属线之间的电容，提高半导体器件的工作效率。

介质层与所述中空介质层的刻蚀速率不同

CN

CN114284206A

CN114284209A权利要求书1/1页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于所述基底上的多条金属线，所述多条金属线间隔分布；

在所述多条金属线之间形成中空介质层；

在所述金属线和所述中空介质层上形成层间介质层，所述层间介质层与所述中空介质层的刻蚀速率不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述中空介质层的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述提供基底以及位于所述基底上的多条金属线的步骤，包括：

在所述基底上形成金属层；

在所述金属层中形成至少一个开口，使所述开口将所述金属层间隔为所述多条金属线。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述多条金属线之间形成中空介质层的步骤，包括：

在所述基底的一侧形成第一中空介质层，其中，所述第一中空介质层覆盖至少部分所述金属线，且所述第一中空介质层填充所述开口；

对所述第一中空介质层进行研磨，以去除所述金属线上的第一中空介质层，使所述开口中保留的第一中空介质层构成所述中空介质层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成贯穿所述层间介质层并连接所述金属线的触点结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，相邻两个所述金属线之间的中空介质层中具有至少一个空气隙。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的多条金属线，所述多条金属线间隔分布；

位于所述多条金属线之间的中空介质层；以及，

位于所述金属线和所述中空介质层上的层间介质层，所述层间介质层与所述中空介质层的刻蚀速率不同。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述中空介质层的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

贯穿所述层间介质层并连接所述金属线的触点结构。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，相邻两个所述金属线之间的中空介质层中具有至少一个空气隙。

11.一种存储器，其特征在于，包括存储阵列结构以及与所述存储阵列结构连接的外围结构；

所述存储阵列结构和所述外围结构中的至少一个包括如权利要求7至10任一项所述的半导体器件。

CN114284209A说明书1/7页

3

半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器

技术领域

[0001]本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器。

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