CN113410647A 基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作方法 （重庆邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113410647A

(43)申请公布日2021.09.17

(21)申请号202110320691.3

(22)申请日2021.03.25

(71)申请人重庆邮电大学

地址400065重庆市南岸区南山街道崇文

路2号

(72)发明人潘武沈涛马勇李燚张雪雯杨力豪

(74)专利代理机构重庆市恒信知识产权代理有限公司50102

代理人陈栋梁(51Int.CL.

HO1Q15/00(2006.01)

HO1Q17/00(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作方法

(57)摘要

CN113410647A本发明请求保护一种基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作工艺，其包括：若干呈周期排列的正方形周期单元，该正方形周期单元共有三层，由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层，金属图案层紧贴在中间介质层的表面，金属反射层设置在中间介质层的底部，形成类似三明治结构；所述金属图案层由方形金属开口环、方形金属片和金属条构成，所述方形金属开口环的开口设置在四个顶点位置处，方形金属片设置在方形金属开口环内部且同轴同心，且方形金属片通过金属条与方形金属开口环相连接。本发明提出的太赫兹窄带吸收器

CN113410647A

高。

CN113410647A权利要求书1/2页

2

1.一种基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，包括：若干呈周期排列的正方形周期单元，该正方形周期单元共有三层，由上至下分别是金属图案层、中间介质层、金属反射层，金属图案层紧贴在中间介质层的表面，金属反射层设置在中间介质层的底部，形成类似三明治结构；金属图案层和中间介质层用于将太赫兹波在吸收器中的传输阻抗与在自由空间中的传输阻抗匹配，减小吸收器的反射率；金属反射层阻挡入射太赫兹波透过吸收器，减小吸收器的透射率，进而增强吸收器的吸收率，所述金属图案层由方形金属开口环、方形金属片和金属条构成，所述方形金属开口环的开口设置在四个顶点位置处，方形金属片设置在方形金属开口环内部且同轴同心，且方形金属片通过金属条与方形金属开口环相连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述方形金属开口环的边长为330～350μm,线宽为20～30μm,开口大小为20～30μm,金属条的宽度为20～30μm,方形金属片的边长为150～170μm。

3.根据权利要求1所述的基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述的金属反射层为连续的金属层，金属反射层与中间介质层采用磁控溅射工艺连接在一

起。

4.根据权利要求1所述的基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述正方形周期单元的结构为正方形，正方形边长P为340.0μm。

5.根据权利要求1所述的基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述的中间介质层的材料为熔融石英，厚度为200.0μm,介电常数为3.75,损耗角正切为0.0004。

6.根据权利要求1所述的基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述金属图案层的材料为金，厚度为0.1μm,电导率为4.561×10?S/m。

7.根据权利要求1所述的基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述金属反射层的材料为金，厚度为0.1μm,电导率为4.561×10S/m。

8.根据权利要求2所述的基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述方形金属片是通过设置在四个边的中间位置处的金属条与方形金属开口环相连接，金属图案层中，方形金属片的边长1=160.0μm,,开口大小g=25.0μm,线宽w?=20.0μm,金属条的宽度w?=25.0μm。

9.根据权利要求1所述的基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器，其特征在于，所述金属反射层的厚度远大于其在太赫兹频带的趋肤深度，以吸收器的透射率趋近于0,吸收率公式简化为A(w)≈1-R(w),其中R(w)表示反射率。

10.一种基于权利要求1-9任一项所述太赫兹双频段窄带吸收器的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

第