CN112635316A 高压厚栅氧的制作方法 （华虹半导体(无锡)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112635316A

(43)申请公布日2021.04.09

(21)申请号202011462782.2

(22)申请日2020.12.14

(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司

地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路

30号

(72)发明人刘俊文

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211

代理人王江富

(51)Int.CI.

HO1L21/28(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图6页

(54)发明名称

高压厚栅氧的制作方法

(57)摘要

CN112635316A本发明公开了一种高压厚栅氧的制作方法，在硅衬底上沉积垫层氧化硅，在垫层氧化硅上沉积垫层氮化硅；进行浅槽隔离光刻、刻蚀、氧化硅填充及化学机械研磨；在硅片上依次沉积掩膜氮化硅、掩膜氧化硅；通过光刻和刻蚀工艺去除高压厚栅氧区的掩膜氧化硅和掩膜氮化硅，并保留高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅；进行第一次热氧化生长，使高压栅氧区的浅槽隔离角部钝化；去除高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅；进行第二次热氧化生长，生成高压厚栅氧。本发明的高压厚栅氧的制作方法制作得到的高压器件的厚栅氧，STI角部栅氧增厚钝化圆滑，能消除STI尖角问题，提高高压厚栅氧

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CN112635316A权利要求书1/1页

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1.一种高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在硅衬底(1)上沉积垫层氧化硅(11),在垫层氧化硅(11)上沉积垫层氮化硅(21);进行浅槽隔离光刻、刻蚀；进行浅槽隔离氧化硅填充及化学机械研磨；

二.在硅片上沉积掩膜氮化硅(22),在掩膜氮化硅(22)上沉积掩膜氧化硅(12);

三.以掩膜氧化硅(12)为硬掩膜，光刻、刻蚀，去除高压厚栅氧区的掩膜氧化硅(12)和掩膜氮化硅(22),并保留高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅(21);

四.进行第一次热氧化生长，使高压栅氧区的浅槽隔离角部钝化；

五.去除高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅(21);

六.进行第二次热氧化生长，生成高压厚栅氧；

七.去除全部掩膜氮化硅(22)及垫层氮化硅(21)。

2.根据权利要求1所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

步骤五后，去除两浅槽隔离之间的硅衬底(1)上的垫层氧化硅(11)以及高压厚栅氧区之外的掩膜氮化硅(22)上的掩膜氧化硅(12),清洗，然后进行步骤六；

步骤六中，在高压厚栅氧区的硅衬底(1)上进行第二次热氧化生长，生成高压厚栅氧。

3.根据权利要求1所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

第一次热氧化生长采用湿氧氧化、水汽氧化或干氧氧化；

第二次热氧化生长采用湿氧氧化、水汽氧化或干氧氧化。

4.根据权利要求1所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

第一次热氧化生长采用干氧氧化；

第二次热氧化生长采用湿氧氧化或水汽氧化。

5.根据权利要求1所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

第一次热氧化生长使用湿氧氧化工艺；

所述湿氧氧化工艺的操作温度为800℃~900℃,氧气流量为24～26升/分钟，氢气的流量为26～28升/分钟。

6.根据权利要求1所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

步骤五中，采用湿法去除高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅(21)。

7.根据权利要求6所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

采用使用氢氟酸乙二醇混合溶液蚀刻去除高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅(21)。

8.根据权利要求6所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

使用热磷酸溶液蚀刻去除高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅(21)。

9.根据权利要求1所述的高压厚栅氧的制作方法，其特征在于，

垫层氮化硅(21)、掩膜氮化硅(22)采用炉管低压化学气相沉积工艺形成。

CN112635316A说明书1/4页

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高压厚栅氧的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体制造技术，特别涉及一种高压厚栅氧的制作方法。

背景技术

[0002]