CN112399908A 形成微结构阵列模具的混合方法、制作微结构阵列的方法以及使用方法 （考里安公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112399908A

(43)申请公布日2021.02.23

(21)申请号201980042618.5

(22)申请日2019.06.25

(30)优先权数据

62/689,6402018.06.25US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2020.12.24

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2019/0390282019.06.25

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2020/005973EN2020.01.02

(71)申请人考里安公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人A·沙斯特里W·常P·辛格

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100

代理人茅翊怒

(51)Int.CI.

B29C33/38(2006.01)

A61M37/00(2006.01)

GO3F7/00(2006.01)

B29L31/00(2006.01)

权利要求书2页说明书15页附图8页

(54)发明名称

形成微结构阵列模具的混合方法、制作微结构阵列的方法以及使用方法

(57)摘要

CN112399908A一种形成主模(52)的方法，包括：a)通过第一微加工工艺在由第一材料形成的基底中形成多个微结构部分(42),每个微结构部分包括轴(40)和远侧末端(38);b)制备多个微结构部分的阴模(46),其中该模具由第二材料形成并且包括与多个微结构部分(42)中的每个微结构部分相对应的多个腔体(48);c)将金属(50)电镀到阴模上以填充多个腔体中的每个腔体并形成从阴模延伸的基部层(54);d)使用第二微加工工艺(例如机械微加工)为基部层中的每个微结构形成近

CN112399908A

CN112399908A权利要求书1/2页

2

1.一种形成主模的方法，包括：

a)通过第一微加工工艺在由第一材料形成的基底中形成多个微结构部分，每个微结构部分包括轴和远侧末端；

b)制备所述多个微结构部分的阴模，其中该模具由第二材料形成并且包括与所述多个微结构部分中的每个微结构部分相对应的多个腔体；

c)将金属电镀到所述阴模上以填充所述多个腔体中的每个腔体并形成从所述阴模延伸的基部层；

d)使用第二微加工工艺为所述基部层中的每个微结构形成近侧部段；以及

e)在所述步骤d)之前或之后，从所述金属上去除所述阴模以形成主模。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二微加工工艺是机械微加工工艺。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一材料选自硅和正性光刻胶材料。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一微加工工艺包括光刻工艺。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻包括：

1)在所述第一材料上施加光刻胶层；

2)在所述光刻胶层上施加掩膜材料，其中，所述掩膜材料覆盖所述光刻胶层的至少一部分；

3)固化所述光刻胶层未被所述掩膜材料覆盖的部分；

4)各向同性地蚀刻所述基底以创建远侧末端部段；

5)蚀刻所述基底以创建轴部分；

6)湿式热氧化所述微结构；以及

7)各向同性地湿式蚀刻所述微结构。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一材料是硅，并且所述方法还包括在步骤1之前使用热氧化工艺在硅基底上形成二氧化硅层。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤1中的热氧化工艺是湿式热氧化工艺。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻胶材料是环氧基负性光刻胶。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光刻胶材料是SU8。

10.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掩膜材料包括多个孔，其中，在步骤3中固化由所述孔暴露的所述光刻胶层。

11.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

在步骤3之后，去除所述掩膜材料和任何未固化的光刻胶材料。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，使用溶剂去除所述掩膜材料和未固化的光刻胶。

13.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤5的蚀刻包括各向异性蚀刻。

14.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤5包括深反应离子蚀刻。

15.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在步骤1之前清洁所述聚合物材料。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述清洁包括化学清洁。