电子科大微电子考研资料第六章 模拟集成单元电路 6.2.pdfVIP

第六章

模拟集成单元电路

6.2有源负载电路

问题：

(R//R)

基本共射电路：A=−CL

R增大，A增大。v

CVr

be

R增大，动态范围减小。

C

BJT有源负载电路MOSFET有源负载电路

6.2.1BJT有源负载电路

图6.22含有源负载的简单BJT共射放大器

图中的R、Q、Q组成了基本镜像电流源。

112

Qo的集电极电流为：

V

IVTVCEO

ICO=ISOe1+(6.63)

V

AN

IV

式中，是反向饱和电流，T是热力学电压，

SO

V

AN是NPN晶体管的厄利电压。

Q2的集电极电流为

VEB2VTVCE2(6.64)

I=Ie1+

C2S2V

AP

式中，V是PNP晶体管的厄利电压。

AP

VEB1V

如果忽略基极电流，则IREFIC1IS1eVT1+EC1(6.65)

V

AP

QQ2I=I

假设1和相同，则S1S2，并且PNP晶体管的厄利电压相同。

V=V=VVV，

另外，EC1EB1EB2。假设CEANVV，

ECAP

由式(6.