CN111968972A 一种集成芯片及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111968972A

(43)申请公布日2020.11.20

(21)申请号202010667857.4

(22)申请日2020.07.13

(71)申请人深圳市汇芯通信技术有限公司

地址518000广东省深圳市华富街道莲花

一村社区皇岗路5001号深业上城(南

区)T2栋2701

(72)发明人樊永辉许明伟樊晓兵曾学忠

(74)专利代理机构深圳市博衍知识产权代理有限公司44415

代理人曾新浩

(51)Int.CI.

HO1L27/06(2006.01)

HO1L21/82(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图12页

(54)发明名称

一种集成芯片及其制作方法和集成电路

(57)摘要

CN111968972A申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路。集成芯片包括第一功能层，以及堆叠在第一功能层表面的第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层连接；所述第一功能层集成了功率放大器、低噪放大器或射频开关中任意一个或多个；所述第二功能层集成了所述LC滤波器。本申请通过将芯片分层制作，使LC滤波器与功率放大器、低噪放大器或射频开关堆叠设置，

CN111968972A

CN111968972A权利要求书1/2页

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1.一种集成芯片，其特征在于，包括第一功能层，以及堆叠在第一功能层表面的第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层连接；所述第一功能层集成了功率放大器、低噪放大器或射频开关中任意一个或多个；所述第二功能层集成了所述LC滤波器。

2.如权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第一功能层包括晶体管和由电感、电容和/或电阻组成的匹配电路，所述晶体管与所述匹配电路相连；所述第二功能层包括电感层和电容层，所述电感层、电容层与所述匹配电路连接。

3.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述电感层设置在所述第一功能层的表面，与所述匹配电路连接；所述电容层设置在所述电感层的表面，与所述电感层连接。

4.如权利要求3所述的一种集成芯片，其特征在于，所述电感层中设有多个电感，所述电感层中的电感同步制作完成；

所述电容层中设有多个电容，所述电容层中的电容同步制作完成。

5.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第二功能层包括至少一个电感层和至少一个电容层，所述电感层和电容层堆叠设置。

6.如权利要求3所述的一种集成芯片，其特征在于，所述第一功能层包括：

衬底；

外延层，设置在所述衬底上，采用氮化镓系材料制成；

第一钝化层，设置在所述外延层上；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层上；以及

第一金属间介质层，设置在所述第二钝化层上；

所述晶体管包括氮化镓高电子迁移率晶体管，所述氮化镓高电子迁移率晶体管与所述匹配电路连接，所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括：

栅极、源极和漏极，设置在所述外延层的表面；

第一金属层，设置在所述第二钝化层的上方，贯穿所述第一钝化层和第二钝化层，分别与所述源极和漏极相连；以及

第二金属层，设置在所述第一金属间介质层的上方，贯穿所述第一金属间介质层，分别与所述第一金属层连接。

7.如权利要求6所述的一种集成芯片，其特征在于，所述集成芯片包括：

背孔，贯穿所述衬底和外延层；以及

背面金属层，设置在所述衬底的下表面，通过所述背孔与所述源极连接。

8.如权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述晶体管包括砷化镓异质结双极晶体管、砷化镓高电子迁移率晶体管、氮化镓高电子迁移率晶体管、磷化铟异质结双极晶体管或磷化铟高电子迁移率晶体管。

9.一种集成芯片的制作方法，所述集成芯片包括相连接的晶体管、匹配电路和LC滤波器，所述晶体管和匹配电路设置在第一功能层，所述LC滤波器设置在第二功能层，其特征在于，包括步骤：

形成衬底；

在所述衬底上形成外延层；

在所述外延层上制作晶体管，包括源漏极、栅极、第一钝化层和第二钝化层；

在所述第二钝化层上形成含有电感、电容或电阻的匹配电路；

CN111968972A权利要求书2/2页

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在所述晶体管和匹配电路上形成第一金属间介质层；以及

在所述第一功能层上形成含有电容层和电感层的第二功能层