CN112289852A 降低埋氧层泄漏电流的soi器件结构及其制作方法 （北京芯可鉴科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112289852A

(43)申请公布日2021.01.29

(21)申请号202011471670.3

(22)申请日2020.12.15

(71)申请人北京芯可鉴科技有限公司

地址102200北京市昌平区双营西路79号

院中科云谷园11号楼一层

申请人北京智芯微电子科技有限公司

国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司

国网信息通信产业集团有限公司西安电子科技大学

国家电网有限公司

国网山东省电力公司营销服务中心

(计量中心)

曹艳荣赵扬周芝梅万勇陈琳杜艳

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限

公司11283代理人肖冰滨王晓晓

(51)Int.CI.

H01L29/10(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

H01L21/762(2006.01)

(72)发明人赵东艳王于波陈燕宁付振

刘芳王立城庞振江彭业凌

张宏涛任晨张龙涛马晓华

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构及其制

作方法

(57)摘要

CN112289852A本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了

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CN112289852A权利要求书1/1页

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1.一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源电极和漏电极，所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间存在有间隙；

所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间的间隙被SiN钝化层覆盖；

所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。

2.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述衬底由SiC制成。

3.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述埋氧层由Si?N4或Al?O?制成。

4.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述埋氧层的厚度介于100nm-140nm。

5.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述沟槽为一个或多个。

6.根据权利要求1所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构，其特征在于，所述有源区具有与所述埋氧层的沟槽契合对接的凸台。

7.一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

S1)在半导体衬底上形成埋氧层；

S2)自所述埋氧层上表面向下形成沟槽；

S3)在所述埋氧层上表面形成有源区，所述有源区具有与所述埋氧层的沟槽契合对接的凸台；

S4)在所述有源区表面覆盖生长形成二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面覆盖生长形成高K介质层，以及在所述高K介质层表面覆盖生长形成多晶硅层，由下而上层叠形成多晶硅栅极；

S5)在所述多晶硅栅极表面划分出栅区，去除所述栅区之外的部分；

S6)在所述栅区两端之外所述有源区表面自对准形成源电极和漏电极，所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间存在有间隙；

S7)在所述栅区与所述源电极和所述漏电极之间的间隙覆盖生长形成SiN钝化层。

8.根据权利要求7所述的降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于源电场和漏电场所能扩展的纵向距离；所述埋氧层