CN113782529A 一种集成芯片及其制作方法和集成电路 （深圳市汇芯通信技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113782529A

(43)申请公布日2021.12.10

(21)申请号202110995384.5

(22)申请日2021.08.27

(71)申请人深圳市汇芯通信技术有限公司

地址518000广东省深圳市华富街道莲花

一村社区皇岗路5001号深业上城(南

区)T2栋2701

(72)发明人樊永辉许明伟樊晓兵

(74)专利代理机构深圳市博衍知识产权代理有限公司44415

代理人曾新浩

(51)Int.CI.

HO1L27/06(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图12页

(54)发明名称

一种集成芯片及其制作方法和集成电路

(57)摘要

CN113782529A本申请提供一种集成芯片及其制作方法和集成电路。集成芯片包括：硅衬底、基于硅半导体的开关控制电路、砷化镓外延结构和基于砷化镓的开关电路；所述硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅半导体的开关控制电路设置在硅衬底上，对应设置在所述硅器件区域；砷化镓外延结构设置在硅衬底上，对应所述砷化镓器件区域；以及基于砷化镓的开关电路设置在砷化镓外延结构上；所述基于硅半导体的开关控制电路与所述基于砷化镓的开关电路通过金属互联；所述基于砷化镓的开关电路包括砷化镓高电子迁移率晶体管，可以将基于硅半导体的开关控制电路和基于砷化镓的开关电路集成到一个

CN113782529A

在晶圆上划分硅器件区域和砷化镓器件区域

在晶圆上划分硅器件区域和砷化镓器件区域

在硅衬底对应砷化镓器件区域上形成砷化镓外延结构

在砷化镓外延结构上形成基于砷化镓的开关电路

在硅衬底上对应硅器件区域形成基于硅的开关控制电路

形成所述基于砷化镓的开关电路和所述基于硅的开关控制电路之间的金属互连层

S10

S30

S40

S50

CN113782529A权利要求书1/2页

2

1.一种集成芯片，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；

基于硅半导体的开关控制电路，设置在硅衬底上，对应设置在所述硅器件区域；

砷化镓外延结构，设置在硅衬底上，对应所述砷化镓器件区域；以及

基于砷化镓的开关电路，设置在砷化镓外延结构上；

其中，所述基于硅半导体的开关控制电路与所述基于砷化镓的开关电路电连接；所述基于砷化镓的开关电路包括砷化镓高电子迁移率晶体管。

2.根据权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述基于砷化镓的开关电路包括：第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管的输出端连接至一公共端口，所述第一晶体管的输入端连接至一第一输入端口，所述第二晶体管的输入端连接至一第二输入端口，所述第一晶体管和第二晶体管的控制端分别连接至基于硅半导体的开关控制电路。

3.根据权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述基于砷化镓的开关电路还包括：第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；所述第一电阻串联至所述第一晶体管的控制端，所述第一电容一端连接至所述第一晶体管的控制端，另一端接地；

所述第二电阻串联至所述第二晶体管的控制端，所述第二电容一端连接至所述第二晶体管的控制端，另一端接地。

4.根据权利要求2所述的一种集成芯片，其特征在于，所述基于硅半导体的开关控制电路包括SiCMOS逆变器；所述SiCMOS逆变器包括N型MOS管和P型MOS管；所述N型MOS管的源极连接至P型MOS管的漏极；

所述第一晶体管和所述第二晶体管分别为砷化镓高电子迁移率晶体管；

所述砷化镓高电子迁移率晶体管包括：

栅极、源极和漏极，设置在所述外延结构的上方；

钝化层，设置在所述栅极、源极和漏极的上方；

第一金属层，设置在所述钝化层的上方，与所述源极和漏极相连；

第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方。

5.根据权利要求1所述的一种集成芯片，其特征在于，所述砷化镓外延结构包括：

缓冲层，设置在硅衬底上；

超晶格层，设置在所述缓冲层上；

第一隔离层，设置在所述超晶格层；

沟道层，设置在所述第一隔离层；

第二隔离层，设置在所述沟道层上；

势垒层，设置在所述第二隔离层上；以及

盖帽层，设置在所述势垒层上。

6.一种集成芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

在硅衬底上划分硅器件区域和砷化镓器件区域；

在硅衬底对应砷化镓器件区域上形成砷化镓外延结构；

在砷化镓外延