CN113964188A 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 （北京芯可鉴科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN113964188A布日2022.01.21

(21)申请号202111571321.3

(22)申请日2021.12.21

(71)申请人北京芯可鉴科技有限公司

地址102200北京市昌平区双营西路79号

院中科云谷园11号楼一层

申请人北京智芯微电子科技有限公司

国网信息通信产业集团有限公司

H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)

(72)发明人余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文

(74)专利代理机构北京润平知识产权代理有限公司11283

代理人李红

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

(57)摘要

CN113964188A本发明涉及半导体技术领域，提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、栅极区、源极区、漏极区、P型体区以及位于所述衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，还包括：离子注入形成的P型漂移区；所述P型漂移区位于所述N型阱区内，所述P型漂移区与所述P型体区之间存在预设距离。本发明在N型阱区内增加P型漂移区，P型漂移区与N型阱区的接触面构成PN结，P型漂移区与N型漂移区形成双重RESURF

CN113964188A

CN113964188A权利要求书1/2页

2

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、栅极区、源极区、漏极区、P型体区以及位于所述衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，其特征在于，还包括：离子注入形成的P型漂移区；

所述P型漂移区位于所述N型阱区内，所述P型漂移区与所述P型体区之间存在预设距离。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型漂移区包括多个相互独立的掺杂块，所述多个相互独立的掺杂块呈阵列排布。

3.根据权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述掺杂块的形状为圆形、方形、六边形或八边形。

4.根据权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型漂移区中掺杂块的数量和深度根据所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管所需承受的击穿电压确定。

5.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型漂移区与所述P型体区之间的预设距离根据所述P型漂移区的掺杂浓度和所述P型体区的掺杂浓度确定。

6.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，还包

括：N型埋层和P型外延层；

所述N型埋层位于所述衬底与所述P型外延层之间，所述P型外延层位于所述N型阱区的下方。

7.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述P型阱区包括：第一P型阱区和第二P型阱区，所述第一P型阱区和第二P型阱区分别位于所述N型阱区的两侧并与所述N型阱区相接；

所述P型体区和所述N型漂移区位于所述N型阱区的上方；

所述N型漂移区包括第一N型漂移区和第二N型漂移区，所述第一N型漂移区和第二N型漂移区分别位于所述P型体区的两侧并与所述P型体区相接。

8.根据权利要求7所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述第一N型漂移区和第二N型漂移区与所述漏极区相接，所述P型体区与所述源极区相接。

9.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体衬底的选定区域中形成N型阱区和P型阱区；

在半导体衬底的选定区域中形成P型体区和N型漂移区；所述N型漂移区与所述P型体区横向接触，并与所述N型阱区纵向接触；

采用离子注入工艺在所述N型阱区中形成P型漂移区。

10.根据权利要求9所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的制作方法，其特征在于，所述采用离子注入工艺在所述N型阱区中形成P型漂移区，包括：

采用光刻工艺在所述N型阱区中形成P型漂移区的掺杂块的图形；

采用离子注入工艺在所述掺杂块的图形区域注入掺杂元素离子；

对离子注入后形成的P型漂移区进行退火处理。

11.根据权利要求9所述的横向双扩散金属氧化物半导体