《GBT+32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法》练习题试卷及参考答案.pdfVIP

《GBT+32278-2025碳化硅单晶片厚度和平整度测试

方法》练习题试卷

一、单选题（共15题，每题2分，共30分）

1.GB/T32278-2025标准代替了以下哪两项标准？

A.GB/T32278—2015和GB/T30866—2014

B.GB/T32278—2015和GB/T30867—2014

C.GB/T32278—2016和GB/T30867—2016

D.GB/T32278—2018和GB/T30867—2018

2.以下哪一项术语和定义未被本文件标准的第3章引用或新增？

A.局部厚度变化

B.碳化硅单晶片

C.GB/T14264中的术语和定义

D.(0001)方向

3.接触式测试方法的原理是基于（）。

A.光的干涉

B.物理接触及位移转换为电信号

C.X射线衍射

D.超声波反射

4.接触式测试方法适用的测量参数包括哪些？

A.厚度、TTV、BOW、Warp

B.厚度和TTV

C.厚度和LTV

D.厚度、TTV和LTV

5.根据4.7节中的表1规定，直径为150mm的碳化硅单晶片进行接触式厚度测

试时，总计应选取多少个测试点？

A.5个

B.9个

C.13个

D.25个

6.接触式测试方法的总厚度变化TTV计算公式是什么？

A.$TTV=\sqrt{\frac{\sum(t_i-\text{THK})^2}{n}}$

B.$TTV=\frac{\sum(t_i)}{n}$

C.$TTV=\operatorname{Max}\left(t_i\right)-

\operatorname{Min}\left(t_i\right)$

D.$TTV=\operatorname{Avg}\left(t_i\right)$

7.接触式测试方法的环境相对湿度要求是？

A.(50±10)%

B.(60±20)%

C.(65±15)%

D.(50±15)%

8.以下哪一项是接触式测试方法的干扰因素？

A.静电、振动测试环境

B.样品表面的粗糙度

C.测量头施加的压力过大

D.洁净度等级不符合ISO5级

9.根据非接触式测试方法的原理描述，该方法基于什么原理？

A.电容耦合

B.光电效应

C.光的干涉

D.磁致伸缩

10.非接触式测试方法（激光干涉仪法）可以测量的平整度参数不包括以下哪一

项？

A.总厚度变化（TTV）

B.局部厚度变化（LTV）

C.弯曲度（BOW）

D.表面粗糙度（Ra）

11.在非接触式测试方法中，对测试机台和样品环境洁净度级别的最低要求是？

A.ISO3级

B.ISO4级

C.ISO5级

D.ISO6级

12.非接触式测试方法中，样品（碳化硅单晶片）表面粗糙度应符合哪个标准的

要求？

A.GB/T14264

B.GB/T30656

C.GB/T43885

D.GB/T25915.1

13.接触式测厚仪的最小指示量值（仪表精度）应不大于多少微米？

A.0.1µm

B.0.5µm

C.1µm

D.2µm

14.本标准规定，非接触式测试方法（激光干涉仪）的试验温度条件为？

A.(20±2)℃

B.(22±2)℃

C.(23±3)℃

D.(25±3)℃

15.关于测试点边缘去除区的要求，接触式测试方法应遵照以下哪个标准？

A.GB/T30867

B.GB/T14264

C.GB/T30656

D.GB/T25915.1

二、多选题（共10题，每题3分，共30分）

1.本文件（GB/T32278-2025）的适用范围包括以下哪些？

A.厚度为0.13mm~1mm的碳化硅单晶片

B.厚度为0.13mm~3mm的碳化硅单晶片

C.直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm的碳化硅单晶片

D.碳化硅外延片

E.蓝宝石单晶片

2.与GB/T32278—2015相比，本文件（2025版）的主要技术变化包括哪些？

A.增加了接触式测试方法

B.删除了“局部厚度变化”的术语和定义

C.更改了非接触式测试方法的试验条件

D.增加了对GB/T30656、GB/T43