《GBT+30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底》练习题试卷及参考答案.pdfVIP

《GBT+30856-2025LED外延芯片用砷化镓衬底》练

习题试卷及参考答案

试卷总分：100分

考试时间：90分钟

一、单选题（共15题，每题2分，共30分）

1.GB/T30856—2025《LED外延芯片用砷化镓衬底》标准实施日期是？

A.2025-08-01

B.2025-12-01

C.2026-02-01

D.2026-05-01

2.本文件替代了以下哪个版本的标准？

A.GB/T30856—2010

B.GB/T30856—2014

C.GB/T30856—2018

D.GB/T30856—2020

3.根据标准4.1的分类，砷化镓衬底按导电类型分为哪两种？

A.电子型和空穴型

B.N型和P型

C.n型和p型

D.本征型和掺杂型

4.根据表1，n型砷化镓衬底的电阻率要求范围是？

A.1×10⁻¹~1×10⁻³Ω·cm

B.1×10⁻²~1×10⁻³Ω·cm

C.1×10⁻²~1×10⁻⁴Ω·cm

D.1×10⁻¹~1×10⁻²Ω·cm

5.根据表1，对n型和p型衬底的“截面电阻率不均匀性”共同要求是？

A.5%

B.10%

C.15%

D.20%

6.关于参考面的规定（表2），对于直径为50.8mm和76.2mm的衬底，其参考

面选择应为？

A.燕尾槽

B.V型槽

C.无参考面

D.根据需求选择

7.对于直径为100.0mm的砷化镓衬底，其主参考面长度的要求是？

A.22±1mm

B.32±1mm

C.48±1mm

D.依据客户要求

8.根据表3，砷化镓衬底的“切口”要求适用于哪种直径的衬底？

A.≥50.8mm

B.≥76.2mm

C.≥100.0mm

D.≥150.0mm

9.根据表4，表面晶向为〈100〉、晶向偏离为“15°±0.5°”的衬底，其“主

边”和“偏向”分别为？

A.主边[011]，偏向

B.主边[011]，偏向

C.主边[001]，偏向

D.标准未明确指定

10.砷化镓衬底的平均位错密度要求是？

A.不大于1000个/cm²

B.不大于5000个/cm²

C.不大于10000个/cm²

D.由供需双方协商确定，无统一要求

11.根据表5，对于直径为200.0mm的衬底，其“翘曲度”的要求是？

A.≤15µm

B.≤60µm

C.≤100µm

D.≤150µm

12.根据表6关于表面质量的要求，直径为150.0mm的衬底，“近边缘区域径向

尺寸”要求是？

A.≤0.2mm

B.≤0.5mm

C.≤0.8mm

D.≤1.0mm

13.根据标准7.4（表7），对于“电学性能”的取样要求是？

A.每批随机抽取10片

B.采用GB/T2828.1—2012一般检验水平II抽样

C.在砷化镓单晶头尾〈100〉晶向各取1片

D.在每片衬底中心取样

14.根据标准7.5，如果砷化镓衬底“参考面及切口”的检验结果不合格，应如

何判定？

A.判定整批产品不合格

B.对该项目双倍取样重复检验

C.判定该件（片）产品不合格

D.由供需双方协商处理

15.标准8.2关于包装的要求中，对于充氮气密封后的包装，还应进行什么操作？

A.直接装入包装箱

B.用铝箔或镀铝包装袋进行二次包装

C.在真空环境下保存

D.无需进一步处理

二、多选题（共10题，每题3分，共30分）

1.本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的哪些环节？

A.生产

B.检测

C.质量评价

D.外延工艺设计

2.标准中更改了以下哪些技术要求（见前言）？

A.规格

B.电学性能

C.表面晶向及晶向偏离

D.包装储运图示标志

3.根据表1注，可作为n型砷化镓衬底掺杂剂的元素包括？

A.Si,Te

B.Zn,Cd

C.S,Se,Sn

D.Be,Mn

4.关于参考面及切口的规定（5.2），以下说法正确的是？

A.不同直径衬底的参考面选择可能不同。

B.所有直径衬底都必须有切口。

C.200.0mm衬底的主、副参考面长度可参考150.0mm衬底。

D