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成本实操-碳化硅器件的成本构成

碳化硅（SiC）器件作为宽禁带半导体的核心产品，其成本构成与硅基器件有显著差异，核心源于材料特性、制备工艺的高难度和低良率。结合产业链环节，其成本构成主要可分为原材料与衬底、外延层、器件制造（前道工艺）、封装测试、研发与其他成本五大类，具体如下：

一、原材料与碳化硅衬底：成本占比最高（30%50%）

衬底是碳化硅器件的“基础载体”，也是成本占比最大的环节，核心原因是制备难度大、良率低、耗材与设备成本高。

原材料：主要是高纯度碳化硅粉末（纯度需99.999%以上），通过化学气相沉积（CVD）或物理气相传输（P