CN111360409B 抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件的制作方法及装置 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111360409B公告日2021.01.05

(21)申请号202010324290.0

(22)申请日2020.04.22

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111360409A

(43)申请公布日2020.07.03

(73)专利权人华中科技大学

审查员顾艳君

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人舒学文于琦

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人尹丽媛李智

(51)Int.CI.

B23K26/352(2014.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件的制作方法及装置

(57)摘要

CN111360409B本发明属于光子器件加工领域，具体涉及一种抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件的制作方法及装置，包括：获取飞秒激光加工参数，包括在光纤轴向中心剖面内的轴向平行的线段条数、线段长度分布，所有线段构成的整体边缘轮廓呈抛物线型且最长和最短线段对称位于光纤中心轴线两侧；基于加工参数控制飞秒激光脉冲垂直入射至剖面上，使得飞秒激光脉冲按照各条线段轨迹连续曝光扫描以实现对扫描处光纤折射率的调制，完成对有效半径变化分布呈抛物线型的SNAP结构制作，其中，制作得到的该微腔结构的轴向长度与最长线段的长度相等，且该微腔结构的轴向半径与加工参数成正相关。本发明利用飞秒激光实现高精度、灵活可控的抛物线型SNAP微腔结

CN111360409B

获取飞秒激光加工参数，加工参数包括在光纤轴向中心剖面内的轴向平行的线段条数、线段长度分布，其中，所有线段构成的整体边缘轮廓呈抛物线型且最长线段和最短线段对称位于光纤中心轴线两侧

基于加工参数，控制飞秒激光脉冲光束垂直入射至剖面上，使得飞秒激光脉冲按照各条线段的轨迹进行连续曝光扫描以实现对扫描处光纤折射率的调制，完成对光纤轴向有效半径变化分布呈抛物线型的表面纳米轴向光子微腔结构制作，其中，制作得到的该微腔结构的轴向长度与最长线段的长度相等，且该微腔结构的轴向半径与线段条数和各线段长度成正相关

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CN111360409B权利要求书1/2页

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1.一种抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件的制作方法，其特征在于，包括：

S1、获取飞秒激光加工参数，所述加工参数包括在光纤轴向中心剖面内的轴向平行的线段条数、线段长度分布，其中，所有线段构成的整体边缘轮廓呈抛物线型且最长线段和最短线段对称位于光纤中心轴线两侧；

S2、基于所述加工参数，控制飞秒激光脉冲光束垂直入射至所述剖面上，使得飞秒激光脉冲按照各条线段的轨迹进行连续曝光扫描以实现对扫描处光纤折射率的调制，完成对光纤轴向的有效半径变化分布呈抛物线型的表面纳米轴向光子微腔结构制作，其中，制作得到的该微腔结构的轴向长度与所述最长线段的长度相等，且该微腔结构的轴向半径与所述线段条数和各线段长度成正相关。

2.根据权利要求1所述的一种抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件的制作方法，其特征在于，所述加工参数还包括飞秒激光脉冲能量和扫描速度。

3.根据权利要求1所述的一种抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件的制作方法，其特征在于，所述线段长度分布包括：所述最长线段的长度，所述最短线段的长度，相邻两条线段间的间隔，以及其它各条线段的长度；

其中，各相邻两条线段间的间隔相等。

4.根据权利要求1至3任一项所述的一种抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件的制作方法，其特征在于，所述S1之前，所述方法还包括：

基于待加工的抛物线型表面纳米轴向光子微腔结构，确定初始的飞秒激光加工参数；其中，所述最长线段的长度为所述待加工的抛物线型表面纳米轴向光子微腔结构的轴向长度；

则所述S2基于所述初始的飞秒激光加工参数制得初始的抛物线型表面纳米轴向光子微腔结构之后，所述方法还包括：

对比初始的表面纳米轴向光子微腔结构与所述待加工的抛物线型表面纳米轴向光子微腔结构之间有效半径变化分布差异，以对所述初始的飞秒激光加工参数进行调整，并采用另一光纤，重复S1,直至制得所述待加工的抛物线型表面纳米轴向光子微腔结构。

5.根据权利要求4所述的一种抛物线型表面纳米轴向光子微腔器件