碳化硅外延片标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《碳化硅外延片》国家标准立项与发展研究报告

EnglishTitle:ResearchReportontheNationalStandardProjectandDevelopmentofSiliconCarbideEpitaxialWafers

摘要

本报告旨在系统阐述《碳化硅外延片》国家标准立项的背景、目的、核心内容及其对产业发展的战略意义。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，以其宽禁带、高击穿电场、高热导率等卓越性能，成为支撑新能源汽车、智能电网、轨道交通、5G通信等战略性新兴产业发展的关键基础。然而，长期以来，我国在碳化硅材料领域，尤其是高质量外延片方面，面临国际技术封锁与标准缺失的双重挑战。本标准的立项，积极响应了《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》、《新材料产业发展指南》等国家政策号召，旨在填补国内碳化硅外延片产品标准的空白。报告详细分析了标准制定的目的与意义，明确了标准的技术范围与核心内容，包括产品分类、技术要求（如衬底参数、外延层性能、缺陷控制等）、试验方法与质量规范。报告结论指出，该标准的制定与实施，将有效规范市场秩序，提升产品质量一致性，打通产业链关键环节，对打破国外垄断、实现核心技术自主可控、推动我国宽禁带半导体产业健康快速发展具有里程碑式的作用。

关键词：碳化硅外延片；第三代半导体；国家标准；宽禁带半导体；材料标准；产业自主化；技术规范

Keywords:SiliconCarbideEpitaxialWafer;Third-GenerationSemiconductor;NationalStandard;WideBandgapSemiconductor;MaterialStandard;IndustrialAutonomy;TechnicalSpecification

正文

一、立项背景与战略意义

碳化硅外延片是在经过精密抛光的碳化硅单晶衬底上，通过化学气相沉积（CVD）等外延生长技术，制备出具有特定导电类型、载流子浓度、厚度及晶体质量的单晶薄膜材料。这一制备环节是连接上游衬底材料与下游功率器件的“桥梁”，其质量直接决定了最终器件的性能、可靠性与良率，在整个碳化硅产业链中占据承上启下的核心地位。

从国家战略层面看，发展碳化硅材料具有极端重要性。以碳化硅为代表的第三代半导体材料，因其在高温、高频、高功率及抗辐射等方面的先天优势，被普遍认为是实现能源高效转换、推动“新能源革命”和产业升级的“绿色引擎”。美国等发达国家早已将其列为战略制高点，并在中美科技竞争背景下，对我国实施了严格的技术与材料出口管制。因此，实现碳化硅材料，包括单晶衬底与外延片的全面国产化与自主可控，是摆脱受制于人局面、保障产业链供应链安全的国家级战略任务。

从产业发展需求看，近年来我国碳化硅外延技术发展迅猛，已初步实现4英寸、6英寸产品的批量生产，并开始向8英寸迈进。然而，产业蓬勃发展的背后，存在着产品规格不一、质量评价体系不健全、上下游对接困难等问题。市场缺乏统一、权威的国家标准来规范产品的生产、检验、交易和使用行为，这已成为制约产业技术提升、规模化应用和国际竞争力形成的关键瓶颈。

为此，制定《碳化硅外延片》国家标准刻不容缓。该标准的立项，不仅是落实《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》、《新材料产业发展指南》及《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》等国家政策文件的具体行动，更是顺应产业发展内在规律、引导产业从“有”到“优”高质量发展的必然要求。通过建立科学、统一的技术门槛和评价体系，该标准将有力推动国内企业技术标准化能力的提升，促进技术创新与成果转化，打破国外通过技术标准构筑的市场壁垒，最终助力我国在第三代半导体这一关键赛道上实现“弯道超车”。

二、标准范围与主要技术内容

本标准旨在为碳化硅外延片产品建立一套完整、可操作的技术规范体系。

1.范围界定

本标准明确规定其适用于导电类型为N型和P型的碳化硅外延片。这些产品主要作为核心衬底材料，用于制造各类碳化硅基半导体功率器件（如MOSFET、SBD、IGBT等）及部分光电器件，广泛应用于新能源汽车电驱电控、光伏逆变器、工业电机驱动、轨道交通牵引变流器等高端领域。

2.主要技术内容

标准的核心技术内容围绕确保外延片质量满足高性能器件制造需求而展开，主要包括以下几个方面：

*产品分类：依据导电类型，明确划分为N型外延片和P型外延片，为下游器件设计提供基础选型依据。

*技术要求：这是标准的主体部分，对影响器件性能的关键参数提出了明确要求。

*衬底要求：规定了所用碳化硅单晶衬底的导电类型、厚度、电阻率、微管密度及衬底晶体质量等级（如位错密度范围），从源