CN110850513B 一种微透镜的制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN110850513B公告日2020.12.18

(21)申请号201911201078.9

(22)申请日2019.11.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110850513A

(43)申请公布日2020.02.28

(73)专利权人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人汪学方许剑锋陆栩杰张雨雨张贻政

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人孔娜李智

(51)Int.CI.

GO2B3/00(2006.01)

审查员孙耀东

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种微透镜的制作方法

(57)摘要

本发明属于微纳三维曲面加工相关技术领域，其公开了一种微透镜的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：(1)提供衬底，并在所述衬底上制备掩蔽层，所述掩蔽层在所述衬底上的位置与待制作的微透镜于所述衬底上的位置一致；

CN110850513B(2)对所述衬底进行热氧化后，再对所述衬底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的二氧化物；其中；(3)重复步骤(2),直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜。本发明通过提高温度、增大氧化剂气压、向衬底内掺入高浓度杂质来提高微透镜的加工效率，由此解

CN110850513B

提供村底，并在所述村底上制备掩载层：所述转是在所述度材的置与待制作的微透镜于所述竹底上的位置一

对所述衬底进行热氧化后，再对所述村底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的三氧化物

重复步骤二，直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜

CN110850513B权利要求书1/1页

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1.一种微透镜的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

(1)提供衬底，并在所述衬底上制备掩蔽层，所述掩蔽层在所述衬底上的位置与待制作的微透镜于所述衬底上的位置一致；所述衬底是采用半导体材料制成的；

(2)对所述衬底进行热氧化，此时所述掩蔽层使所述衬底的表面选择性地生长氧化物；之后，对所述衬底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的氧化物；其中，待制作的微透镜的曲率半径R的计算公式为：

式中，r为掩蔽层的半径；h为氧化过程中消耗的衬底的厚度；

(3)重复步骤(2),直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜。

2.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述衬底的材料为硅、锗、GaN、氮化铝、氮化镁及砷化镓中的一种。

3.如权利要求2所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述掩蔽层的材料为氮化硅、金、氧化钛、氧化铬、碳化硅、氧化锌及氧化铝中的一种。

4.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：通过控制热氧化的速率来控制微透镜曲面的曲率。

5.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：步骤(2)中采用的热氧化温度为600℃~1400℃。

6.如权利要求5所述的微透镜的制作方法，其特征在于：热氧化的压强为0.1～0.25个标准大气压，热氧化形成的氧化层厚度为10nm～30000nm。

7.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述衬底中杂质硼的浓度在

4.0e1?~2.0e20cm-3。

8.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述衬底的材料为硅，所述掩蔽层的材料为氮化硅。

9.如权利要求8所述的微透镜的制作方法，其特征在于：通过控制硅氧化的温度、反应时间、湿氧氧化中O?和H?O的比率以及衬底的杂质浓度来控制氧化速率。

CN110850513B说明书1/4页

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一种微透镜的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于微纳三维曲面加工相关技术领域，更具体地，涉及一种微透镜的制作方法。

背景技术

[0002]目前，硅微透镜微结构的加工方法较多，主要有超精密磨削加工、金刚石精密车削、飞秒/阿秒激光加工、纳米压印、电化学加工、激光辅助沉积刻蚀、灰度掩膜板三维曲面曝光刻蚀等。

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