CN111063738A 基于交叠耦合板的隧穿场效应器件及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111063738A

(43)申请公布日2020.04.24

(21)申请号201911217899.1

(22)申请日2019.12.03

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维何元浩高北鸾杜鸣马佩军张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

权利要求书3页说明书11页附图5页

(51)Int.CI.

H01L

H01L

H01L

H01L

29/78(2006.01)29/423(2006.01)21/336(2006.01)29/06(2006.01)

(54)发明名称

基于交叠耦合板的隧穿场效应器件及制作方法

(57)摘要

CN111063738A本发明公开了一种基于交叠耦合板的隧穿场效应器件，主要解决现有器件存在的随机杂质涨落及双极关态漏电的问题，其自下而上包括：衬底(1)、GaN基缓冲层(2)、P型InxGa1-xN渐变极化层(3),该渐变极化层(3)的右上部设有N型InyGa1-yN渐变极化层(4),其两侧刻蚀有下台阶(5),该下台阶的左右侧上分别设有源极(7)和漏极(6);两个渐变极化层(3)和(4)的上部设有栅介质层(8);该栅介质层上从左向右依次设有调制栅(10)、栅极(9)和交叠板(11)以及交叠耦合板(12),它们的上部均覆盖有钝化层(13),本发

CN111063738A

患丝

患丝际

交叠耦合板12

产上

交桑板1

N型In,Ga,?N渐变极化层4

P型In,Ga?N渐变极化层3

5

GaN基缓冲层2

衬底1

栅介质层8

r

不台

比

CN111063738A权利要求书1/3页

2

1.一种基于交叠耦合板的隧穿场效应器件，包括：衬底(1)、漏极(6)、源极(7)、栅介质层(8)、栅极(9),钝化层(13),特征在于：

所述衬底(1)的上方依次设有GaN基缓冲层(2)和P型InxGa1-xN渐变极化层(3);该P型InxGa1-xN渐变极化层的两侧刻蚀有下台阶(5),漏极(6)位于右侧下台阶(5)的上部；源极(7)位于左侧下台阶(5)的上部；

所述栅介质层(8)的右下方及P型InxGa1-xN渐变极化层(3)的右上部淀积有N型InyGa1-yN渐变极化层(4);栅介质层(8)的上部自左向右依次淀积有调制栅(10)、交叠板(11)和交叠耦合板(12);栅极(9)位于调制栅(10)和交叠板(11)之间，且三者之间依次电气连接；钝化层(13)位于栅介质层(8)、栅极(9)、调制栅(10)、交叠板(11)和交叠耦合板(12)的外围。

2.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于，P型InxGa1-xN渐变极化层(3)通过渐变组分淀积实现，即采用[0001]晶向的In组分x渐变的非故意掺杂InxGa1-xN半导体材料，其In组分x从下往上逐渐递增，且x满足1≥x≥0,其厚度T?为5～50nm。

3.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于，N型InyGa1-yN渐变极化层(4),采用[0001]晶向的In组分y渐变的非故意掺杂InyGa1-yN半导体材料，其In组分y从下往上逐渐递减，其厚度T?为1～40nm,宽度L?为10～150nm,且y满足1≥y≥0;该N型InyGa1-yN渐变极化层(4)下表面In组分y小于或等于P型InxGa1-xN渐变极化层(3)上表面In组分x。

4.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于，交叠耦合板(12)由大小相同、材质相同的n个耦合块组成，n≥1,其中，各耦合块不与任何电极或者金属接触，处于相互独立的浮空状态，各耦合块宽度Lfn均为1～5nm,且厚度均与交叠板(11)的厚度相同，最左侧的耦合块与交叠板(11)之间的间距R为0.5～5nm,相邻两耦合块之间的间距按自左向右的方向依次递增，且相邻两耦合块之间的间距均大于R,最右侧的第n个耦合块的右边界水平位置位于N型InyGa1-yN渐变极化层(4)的左边界与右边界之间。

5.根据权利要求1所述的隧穿场效应器件，其特征在于，

所述调制栅(10),其厚度与栅极(9)的厚度相同，其宽度小于等于栅极(9)的宽度，且采用金属的功函数小于或等于淀积