CN111052605A 炉控频率基准振荡器及其制作方法 （京瓷帝基廷公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN111052605A布日2020.04.21

(21)申请号201880056339.X

(22)申请日2018.09.05

(30)优先权数据

201757922017.09.05FI

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2020.02.28

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/FI2018/0506272018.09.05

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2019/048737EN2019.03.14

(71)申请人京瓷帝基廷公司地址芬兰埃斯波

(72)发明人A·奥加A·贾克拉

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

代理人酆迅傅远

(51)Int.CI.

HO3H9/02(2006.01)

B81B3/00(2006.01)

HO1L41/08(2006.01)

HO3H3/007(2006.01)

HO3L1/02(2006.01)

HO3L1/04(2006.01)

HO3L7/06(2006.01)

HO3L7/083(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图6页

(54)发明名称

炉控频率基准振荡器及其制作方法

(57)摘要

CN111052605A恒温控制器13频率基准振荡器10谐振器19本发明涉及一种温度补偿微机电振荡器及其制造方法。振荡器包括谐振元件，该谐振元件包括高掺杂硅和致动器，该致动器用于激励所述谐振体进入具有特征频率-温度曲线的谐振模

CN111052605A

恒温控制器

13

频率基准振荡器10

谐振器

19

CN111052605A权利要求书1/2页

2

1.一种温度补偿微机电振荡器，包括：

-谐振器元件，包括掺杂到至少9×101?cm?的平均掺杂浓度的硅，

-致动器，用于激励所述谐振器元件进入谐振模式，所述谐振模式具有在85℃或更高的翻转温度处具有高温翻转点的特征频率-温度曲线，以及

一恒温控制器，用于将所述谐振器元件的所述温度保持在所述高翻转温度处。

2.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中所述掺杂浓度为9×101?cm?3至1.3×102cm?3,并且所述高温翻转点是在温度范围-40℃至+150℃内的唯一翻转点。

3.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中所述掺杂浓度至少为1.1×102?cm-3,并且所述频率-温度曲线具有两个翻转点，两个翻转点的一个翻转点是所述高温翻转点。

4.根据权利要求3所述的振荡器，其中所述两个翻转点的一个翻转点是在低于85℃的温度处的低温翻转点。

5.根据权利要求4所述的振荡器，其中所述频率-温度曲线在所述高温翻转点处的曲率的绝对值小于在所述低温翻转点处的曲率的绝对值。

6.根据权利要求3至5的任一项所述的振荡器，其中所述频率-温度曲线在-40℃至+150℃的温度范围内正好有两个翻转点。

7.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中所述高温翻转点是局部最大值。

8.根据权利要求1至6的任一项所述的振荡器，其中所述高温翻转点是局部最小值。

9.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中在所述高温翻转点处的所述频率-温度曲线的所述曲率的所述绝对值为20ppb/C2或更小，特别是为10ppb/C2或更小。

10.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中所述高温翻转点在200℃或更低的翻转温度处，特别是在150℃或更低处，诸如130℃或更低处。

11.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中所述谐振器元件包括：

一硅本体，所述硅本体具有1.3×102?cm?3或以上的n型掺杂浓度，

-压电换能层，诸如氮化铝层，所述压电换能层在所述本体上，

-电极层，在所述压电层上，以及

其中所述致动器被电连接到所述电极层以及所述硅本体，以用于激励所述谐振模式。

12.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中

-所述谐振器元件包括简并掺杂的单晶硅本体，

-所述振荡器包括静电换能电极，所述静电换能电极功能性地耦合至所述本体，其中所述致动器被电连接到所述电极，以用于激励所述谐振模式。

13.根据前述权利要求的任一项所述的振荡器，其中所述谐振器元件是板元件，诸如矩形板元件，所述板元件具有不同于1的平面