CN110737170A 纳米结构的制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110737170A布日2020.01.31

(21)申请号201910171605.X

(22)申请日2019.03.07

(71)申请人南方科技大学

地址518055广东省深圳市南山区西丽镇

学苑大道1088号南方科技大学

(72)发明人段天利王尧马续航张锐瞿学选

(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224

代理人潘霞谭露盈

(51)Int.CI.

GO3F7/00(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图2页

(54)发明名称

CN110737170A

CN110737170A

(57)摘要

本发明涉及一种纳米结构的制作方法。该方法包括如下步骤：绘制版图，版图设有曝光区域和非曝光区域，在非曝光区域中设置辅助曝光区；使用正性电子抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；根据版图对抗蚀层进行曝光处理，然后进行显影处理，得到具有图案的抗蚀层，其中，曝光处理的步骤中，辅助曝光区的曝光剂量小于曝光区域的曝光剂量，以使抗蚀层对应辅助曝光区的区域形成凹槽；在具有图案的抗蚀层上形成金属层，得到层叠件；使用去胶试剂清洗层叠件以去除抗蚀层，得到纳米结构。上述纳米结构的制作方法能够使图形较易剥离且得到的图形完整。

绘制版图，版图设有曝光区域和非曝光区域，在非曝光区域中设置辅助

曝光区。

使用正性电子抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层。

根据版图对抗蚀层进行曝光处理，然后进行显影处理，得到具有图案的

抗蚀层。

在具有图案的抗蚀层上形成金属层，得到层叠件。

使用去胶试剂清洗层叠件以去除抗蚀层，得到纳米结构。

S120

S130

S140

CN110737170A权利要求书1/2页

2

1.一种纳米结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

绘制版图，所述版图设有曝光区域和非曝光区域，在所述非曝光区域中设置辅助曝光区；

使用正性电子抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；

根据所述版图对所述抗蚀层进行曝光处理，然后进行显影处理，得到具有图案的所述抗蚀层，其中，所述曝光处理的步骤中，所述辅助曝光区的曝光剂量小于所述曝光区域的曝光剂量，以使所述抗蚀层对应所述辅助曝光区的区域形成凹槽；

在具有所述图案的所述抗蚀层上形成金属层，得到层叠件；及

使用去胶试剂清洗所述层叠件以去除所述抗蚀层，得到所述纳米结构。

2.根据权利要求1所述的纳米结构的制作方法，其特征在于，所述辅助曝光区为多个，多个所述辅助曝光区沿一直线或弧线间隔设置，多个所述辅助曝光区的总面积与所述非曝光区域的面积的比为1:30～1:4。

3.根据权利要求1所述的纳米结构的制作方法，其特征在于，所述使用去胶试剂清洗所述层叠件以去除所述抗蚀层的步骤具体为：将所述层叠件浸泡在所述去胶试剂中，然后在5W～10W、10kHz～40kHz的条件下对所述层叠件进行超声波处理。

4.根据权利要求1所述的纳米结构的制作方法，其特征在于，所述辅助曝光区的曝光剂量为所述曝光区域的曝光剂量的50%～80%。

5.根据权利要求1所述的纳米结构的制作方法，其特征在于，所述在具有所述图案的所述抗蚀层上形成金属层的方法为磁控溅射或电子束蒸镀；

及/或，所述金属层的厚度为30纳米～100纳米；

及/或，所述金属层的材质选自铬、铝、金及钛中的一种。

6.根据权利要求1所述的纳米结构的制作方法，其特征在于，所述凹槽为狭长型。

7.根据权利要求1～6任一项所述的纳米结构的制作方法，其特征在于，所述正性电子抗蚀剂为聚甲基丙烯酸甲酯。

8.根据权利要求7所述的纳米结构的制作方法，其特征在于，所述抗蚀层的厚度为100纳米～300纳米，所述曝光区域的曝光剂量为6C/m2~10C/m2,所述辅助曝光区的曝光剂量为3C/m2~8C/m2。

9.根据权利要求7所述的纳米结构的制备方法，其特征在于，所述显影处理的步骤中，使用显影液对曝光处理后的所述抗蚀层进行显影处理，所述显影液包括异丙醇和甲基异丁基甲酮，且所述异丙醇和所述甲基异丁基甲酮的体积比为1:1～3:1;

及/或，所述去胶试剂选自丙酮、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮及二价酸酯中的一种。

10.一种纳米结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

绘制版图，所述版图设有曝光区域和非曝光区域，在所述曝光区域中设置辅助曝光区；使用负性电子抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；

根据所述版图对所述抗