CN110316692A 互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法 （王传蔚）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN110316692A布日2019.10.11

(21)申请号201910435517.6

(22)申请日2019.05.23

(71)申请人王传蔚

地址中国台湾桃园市

(72)发明人王传蔚

(74)专利代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139

代理人孙皓晨马鑫

(51)Int.CI.

B81C1/00(2006.01)

B81B7/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

H04R31/00(2006.01)

H04R1/08(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图10页

(54)发明名称

互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法

(57)摘要

CN110316692A本发明公开了一种互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法，首先，提供一互补式金氧半装置，其包含依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线层，金属布线层设于第二氧化绝缘层上，图案化多晶硅层包含未掺杂多晶硅。接着，移除部分的金属布线层，以形成一金属电极，并于半导体基板开设贯穿自身的一空腔，以露出第一氧化绝缘层，进而形成一微机电麦克风。本发明利用图案

CN110316692A

CN110316692A权利要求书1/2页

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1.一种互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，包含：

提供一互补式金氧半装置，其包含依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线层，该金属布线层设于该第二氧化绝缘层上，该图案化多晶硅层包含未掺杂多晶硅；以及

移除部分的该金属布线层，以形成位于该未掺杂多晶硅上方的一金属电极，以利用该未掺杂多晶硅隔离该金属电极与该有掺杂多晶硅层，并于该半导体基板开设贯穿自身的一空腔(chamber),以露出该第一氧化绝缘层，进而形成一微机电麦克风。

2.如权利要求1所述的互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，在移除该部分的该金属布线层，以形成该金属电极，并于该半导体基板开设该空腔，以露出该第一氧化绝缘层的步骤中，是先移除该部分的该金属布线层，以形成该金属电极，再于该半导体基板开设该空腔，以露出该第一氧化绝缘层。

3.如权利要求1所述的互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，该金属布线层更包含一氧化绝缘结构、一第一金属层、一第二金属层、一第一金属通孔、一第二金属通孔与一第三金属层，该第一金属层、该第二金属层、该第一金属通孔、该第二金属通孔与该第三金属层皆为导电材质，该氧化绝缘结构设于该第二氧化绝缘层与该图案化多晶硅层上，该第一金属层、该第二金属层、该第一金属通孔、该第二金属通孔与该第三金属层嵌入该氧化绝缘结构中，该第一金属层、该第二金属层与该第三金属层彼此相隔，并依序由下而上设置，该第一金属层与该图案化多晶硅层相隔，该第一金属通孔位于该第二金属层与该第三金属层之间，以电性连接该第二金属层与该第三金属层，该第二金属通孔连接该第二氧化绝缘层及该未掺杂多晶硅的至少其中一者与该第三金属层。

4.如权利要求3所述的互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，在移除该部分的该金属布线层，以形成该金属电极的步骤中，先移除部分的该氧化绝缘结构，以露出部分的该图案化多晶硅层，再移除其余的该氧化绝缘结构、该第一金属层与部分的该第二金属层，以利用该第一金属通孔、该第三金属层与其余的该第二金属层形成该金属电极。

5.如权利要求4所述的互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，该部分的该氧化绝缘结构的移除方法为干蚀刻法，该其余的该氧化绝缘结构、该第一金属层与该部分的该第二金属层的移除方法为湿蚀刻法。

6.如权利要求1所述的互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，该图案化多晶硅层更包含有掺杂多晶硅。

7.一种互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，包含：

提供一互补式金氧半装置，其包含一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一图案化有掺杂多晶硅层、至少一氧化绝缘区块、一第二氧化绝缘层、一图案化未掺杂多晶硅层与一金属布线层，该第一氧化绝缘层设于该半导体基板上，该图案化有掺杂多晶硅层与该至少一氧化绝缘区块