CN111063735B 多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN111063735B公告日2021.07.06

(21)申请号201911217900.0

(22)申请日2019.12.03

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111063735A

(43)申请公布日2020.04.24

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维何元浩高北鸾彭紫玲杜鸣马佩军张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/739(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

H01L29/10(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

(56)对比文件

CN110148626A,2019.08.20

CN101414637A,2009.04.22

US9761675B1,2017.09.12

US2014239258A1,2014.08.28

WeiMao等.Apolarization-inducedInN-basedtunnelFETwithoutphysicaldoping.《SemiconductorScienceandTechnology》

.2019,第34卷(第6期),

审查员宋晶晶

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法

(57)摘要

CN111063735B多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法。本发明公开了一种多级耦合栅隧穿场效应晶体管，主要解决现有隧穿场效应晶体管存在的双极关态漏电的问题，其底部为衬底(1),衬底(1)的上部自左向右依次设有源区(3)、体区(2)、漏区(4),漏区(4)的右上部设有漏极(5),源区(3)的左上部设有源极(6),体区(2)的上方设有栅介质层(7),栅介质层(7)的上方设有间隔分布的多级耦合栅(8),源区(3)、漏区(4)、漏极(5)、源极(6)、栅介质层(7)、多级耦合栅(8)的外围设有钝化层(9),本发明减小了器件双极关态漏电问题，

CN111063735B

多级耦合栅8

ooo

LgSL

n个悬

L

浮上

极板

1

L?

钝化层9

调制极板

1

2

3

T?

L?

源极6

栅介质层7

T?

漏极5

源区3

体区2

漏区4

衬底1

L?

L

L?

T?

CN111063735B权利要求书1/2页

2

1.一种多级耦合栅隧穿场效应晶体管，包括：衬底(1)、体区(2)、源区(3)、漏区(4)、漏极(5)、源极(6)、栅介质层(7)、钝化层(9);体区(2)位于栅介质层(7)下方；源区(3)位于体区(2)左侧，漏区(4)位于体区(2)右侧；源极(6)位于源区(3)左上部；漏极(5)位于漏区(4)右上部；衬底(1)位于体区(2)、源区(3)、漏区(4)的下方，其特征在于：

所述栅介质层(7),其上方设有间隔分布的多级耦合栅(8),该多级耦合栅(8)由自左向右设置的一个调制极板和n个大小相同的悬浮极板构成，n≥1;

所述调制极板的宽度L?为2～100nm,厚度T?为10～60nm,其采用金属的功函数大于漏极

(5)的功函数且小于源极(6)的功函数；

所述n个大小相同的悬浮极板，其最左侧的悬浮极板与调制极板之间的间距S为0.5~20nm;当n=1时，其只包括一个悬浮极板，此时多级耦合栅仅由自左向右设置的1个调制极板和1个悬浮极板组成，调制极板与悬浮极板之间的间距S满足0.5～20nm即可；当n=2时，其只包括两个悬浮极板，此时多级耦合栅仅由自左向右设置的1个调制极板和2个悬浮极板组成，调制极板与自左向右的第一个悬浮极板之间的间距S满足0.5～20nm,而两悬浮极板之间的间距满足大于S即可；当n2时，相邻两悬浮极板之间的间距按自左向右的方向依次递增，且相邻两悬浮极板之间的间距均大于S,最右侧的悬浮极板的右边界水平位置