CN110349940A 一种新型的芯片封装结构及其制作方法 （深圳第三代半导体研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110349940A

(43)申请公布日2019.10.18

(21)申请号201910566686.3

(22)申请日2019.06.27

(71)申请人深圳第三代半导体研究院

地址518051广东省深圳市南山区西丽大

学城学苑大道1088号台州楼

(72)发明人李俊叶怀宇刘旭裴明月张国旗

HO1LHO1L

HO1LHO1L

21/50(2006.01)

21/56(2006.01)23/367(2006.01)

23/373(2006.01)

(74)专利代理机构北京中知法苑知识产权代理

事务所(普通合伙)11226代理人李明

(51)Int.CI.

H01L25/07(2006.01)

H01L21/98(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L23/31(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种新型的芯片封装结构及其制作方法

(57)摘要

CN110349940A本发明提供一种新型的芯片封装结构及其制作方法，包括相邻设置的第一芯片本体(42)、第二芯片本体(43),所述第一芯片本体(42)底面粘接有第一导电胶(40),所述第二芯片本体(43)顶面粘接有第二导电胶(41),所述第一导电胶(40)设置在第一导电层(20)上，第二导电层(21)设置在所述第二导电胶(41)上，所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)分别具有第一开口、第二开口，绝缘层(60)填充所述第一芯片本体(42)。本发明通过采用双层可分离材料可以实现芯片上下两面同时封装，从而使得本发明的技术

CN110349940A

CN110349940A权利要求书1/2页

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1.一种新型的芯片封装结构，其特征在于：

包括相邻设置的第一芯片本体(42)、第二芯片本体(43),所述第一芯片本体(42)底面粘接有第一导电胶(40),所述第二芯片本体(43)顶面粘接有第二导电胶(41),所述第一导电胶(40)设置在第一导电层(20)上，第二导电层(21)设置在所述第二导电胶(41)上，所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)分别具有第一开口、第二开口，绝缘层(60)填充所述第一芯片本体(42)、所述第二芯片本体(43)、所述第一导电层(20)和所述第二导电层(21)之间的空隙，所述绝缘层(60)具有分别形成在所述第一芯片本体(42)、所述第二芯片本体(43)上以及所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)上的通孔，图案化的顶部金属化层(90)、底部金属化层(91)分别填充所述通孔并覆盖所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)表面，顶部绝缘层(110)、底部绝缘层(111)分别覆盖所述绝缘层(60)以及所述图案化的顶部金属化层(90)。

2.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构，其特征在于，其中所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)的材料选自于铜、铝、金、银、锡、铅及其合金或金属填充有机物。

3.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构，其特征在于，其中所述顶金属化层(90)、所述底金属化层(91)的材料选自于铜、铝、金、银、其合金及金属填充有机物。

4.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构，其特征在于，其中所述绝缘层(60)、所述顶部绝缘层(110)、所述底部绝缘层(111)的材料选自于填充二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的有机绝缘物、线路板材料、油墨。

5.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101、提供分别作为补强载体用的第一可分离材料层(10)、第二可分离材料层(11);

S102、分别在所述第一可分离材料层(10)、所述第二可分离材料层(11)上制作第一导电层(20)、第二导电层(21);

S103、分别对所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)进行图案化分别形成第一开口、第二开口以露出部分所述第一可分离材料层(10)、所述第二可分离材料层(11);

S104、分别在制作完成好图案化的所述第一导电层(20)、所述第二导电层(21)上依序粘接第一导电胶(40)、第二导电胶(41)以及第一芯片本体(42)、第二芯片本体(43);

S105、将制作好的所述第二可分离材料