CN109461783A 一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法 （苏州腾晖光伏技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109461783A

(43)申请公布日2019.03.12

(21)申请号201811604862.XHO1L31/18(2006.01)

(22)申请日2018.12.26

(71)申请人苏州腾晖光伏技术有限公司

地址215500江苏省苏州市常熟沙家浜常

昆工业园腾晖路1号申请人南京航空航天大学

(72)发明人张树德魏青竹倪志春钱洪强连维飞胡党平王泽辉

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人罗满

(51)Int.CI.

H01L31/068(2012.01)

H01L31/0216(2014.01)

H01L31/047(2014.01)

权利要求书1页说明书6页附图4页

(54)发明名称

一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN109461783A本发明公开了一种双面晶硅太阳能电池，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本发明会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结，抑制了第二迎光面的表面复合，增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术，成本低廉，工艺简单。本发明还同时提供了一种具

CN109461783A

CN109461783A权利要求书1/1页

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1.一种双面晶硅太阳能电池，其特征在于，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；

所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；

所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。

2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括绝缘层；

所述绝缘层设置于所述第二电极与所述P型反型层之间，用于防止所述第二电极与所述P型反型层之间出现电导通。

3.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述硅太阳能电池还包括N+型层；

所述N+型层设置于所述第二电极与所述N型基体之间；

所述N+型层的掺杂浓度大于所述N型基体的掺杂浓度。

4.如权利要求3所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述N+型层为磷掺杂的N+型层。

5.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第二电极为金属银电极。

6.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括钝化层；

所述钝化层设置于所述P型半导体层及所述第一电极之间。

7.如权利要求6所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括减反层；

所述减反层设置于所述钝化层与所述第一电极之间，用于增加进入所述钝化层中的光通量。

8.一种双面晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供N型基体；

在所述N型基体的第一迎光面设置P型半导体层；

在所述N型基体的第二迎光面设置介质层；

在所述P型半导体层表面设置第一电极，并在所述介质层表面按照预设图案设置第二电极，使所述第二电极能与所述N型基体接触，得到所述双面晶硅太阳能电池。

9.如权利要求8所述的晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述介质层表面按照预设图案设置第二电极具体包括：

在所述介质层表面按照第一预设图案进行开孔，在开孔区域露出硅表面；

在经过开孔的所述介质层表面设置绝缘层；

在所述绝缘层表面按照第二预设图案印刷金属浆料，并过烧结，完成金属化，得到所述第二电极。

10.如权利要求9所述的晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述金属浆料为掺磷银浆。

CN109461783A说明书1/6页

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一种双面晶硅太阳能电池及其制作方法

技术领域

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