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- 2026-02-11 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109686814A
(43)申请公布日2019.04.26
(21)申请号201710980151.1
(22)申请日2017.10.19
(71)申请人上海神舟新能源发展有限公司
地址201112上海市闵行区江月路505号
(72)发明人吴伟梁汪建强赵晨
陶智华眭山张忠卫阮忠立
(74)专利代理机构上海科盛知识产权代理有限公司31225
代理人王小荣
(51)Int.CI.
HO1LHO1L
HO1L
31/18(2006.01)
31/0224(2006.01)
31/0236(2006.01)
权利要求书1页说明书6页附图1页
(54)发明名称
清洗/制绒/背抛热氧化掩膜激光开膜丝网印刷硼浆+退火去除BSG正面磷扩散与
清洗/制绒/背抛
热氧化掩膜
激光开膜
丝网印刷硼浆+退火
去除BSG
正面磷扩散与SE制备
去除PSG
背面沉积Al?O?/SiNxH
前表面镀SINx:HARC
丝网印刷银浆
烧结
(57)摘要
109686814ACN本发明涉及一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,该方法包括:将p型硅片通过热氧化进行掩膜、激光消融形成背面图案、丝网印刷硼浆料、高温炉中POCl?沉积PSG、激光掺杂形成选择性发射极,然后在硅片正面沉积SiNx,硅片背面先沉积Al?O3层,再沉积SiNx层,最后丝网印刷烧结正、背面银浆。与现有技术相比,本发明能够实现效率大于22.5%的PERL双面电池技术产业化,不仅提高电池效率,同时因具有双面发电
109686814A
CN
CN109686814A权利要求书1/1页
2
1.一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
1)将p型硅片置于HF/HNO?混合溶液中清洗,去除表面损伤层、切割线痕;
2)将清洗后的硅片置于碱性溶液中进行制绒,之后进行背面抛光;
3)将背面抛光后的硅片进行氧化,使SiO?的厚度为10-15nm;
4)将硅片背面进行纳秒激光开膜;
5)在硅片背面进行丝网局域印刷硼浆料,之后在800-1200℃下退火;
6)利用POCl?在硅片正面沉积PSG,并采用皮秒激光掺杂形成选择性发射极;
7)在硅片正面先沉积一层高折射率SiN膜,之后再沉积一层低折射率SiN膜;
8)在硅片背面先沉积一层Al?O?,再沉积一层SiNx,或直接在硅片背面沉积一层Si0x,之后在400-450℃下退火;
9)在硅片正面进行丝网印刷银浆料,在硅片背面印刷银铝浆料,烧结后即可。
2.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤1)中,所述的HF/HNO?混合溶液中,HF与HNO?体积比为1:1-5。
3.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤2)中,所述的碱性溶液为KOH溶液或NaOH溶液。
4.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤2)中,所述的背面抛光过程在HF/HNO?混合溶液中进行。
5.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤3)中,所述的氧化为高温热氧化,该高温热氧化的温度为650-870℃。
6.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤5)中,所述的退火过程在氮气或氧气中进行。
7.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤7)中,所述的高折射率SiN膜的厚度为9-11nm,折射率为2.5-2.9;所述的低折射率SiNx膜的厚度为60-80nm,折射率为2-2.1。
8.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤8)中,硅片背面的Al?O?层的厚度为5-20nm,SiN层的厚度为70-100nm,Si0x层的厚度为70-100nm。
9.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤9)中,所述的烧结温度为850-910℃。
10.根据权利要求1所述的一种背钝化高效p型PERL双面电池的制作方法,其特征在于,步骤2)中,所述的背面抛光过程在单抛机中进行;步骤3)中,所述
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