CN109494264A 一种晶硅太阳能电池及其制作方法 （苏州腾晖光伏技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109494264A

(43)申请公布日2019.03.19

(21)申请号201811604843.7HO1L31/18(2006.01)

(22)申请日2018.12.26

(71)申请人苏州腾晖光伏技术有限公司

地址215500江苏省苏州市常熟沙家浜常

昆工业园腾晖路1号申请人南京航空航天大学

(72)发明人张树德魏青竹倪志春钱洪强连维飞胡党平王泽辉

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人罗满

(51)Int.CI.

HO1LH01LH01L

31/0224(2006.01)

31/0216(2014.01)

31/0352(2006.01)

权利要求书1页

说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种晶硅太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN109494264A本发明公开了一种晶硅太阳能电池，包括P型基体；所述P型基体的迎光面向外依次包括N型半导体层及正面电极；所述P型基体的背光面向外依次包括介质层及背面电极；所述介质层为带高固定正电荷的介质层；所述介质层在所述P型基体与所述介质层接触的表面感应形成N型反型层；所述介质层具有与所述背面电极相配合的图案，使所述背面电极可直接与所述P型基体接触。本发明在P型基体的背光面表面附近形成浮动结，抑制了背光面的表面复合，增大了晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术中的氧化铝，成本低廉，工艺简单。本发明还同时提供了一

CN109494264A

CN109494264A权利要求书1/1页

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1.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型基体；

所述P型基体的迎光面向外依次包括N型半导体层及正面电极；

所述P型基体的背光面向外依次包括介质层及背面电极；

所述介质层为带高固定正电荷的介质层；

所述介质层在所述P型基体与所述介质层接触的表面感应形成N型反型层；

所述介质层具有与所述背面电极相配合的图案，使所述背面电极可直接与所述P型基体接触。

2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括绝缘层；

所述绝缘层设置于所述背面电极与所述N型反型层之间，用于防止所述背面电极与所述N型反型层之间出现电导通。

3.如权利要求2所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括保护层；

所述保护层设置于所述绝缘层及所述介质层表面，用于保护所述绝缘层及所述介质层免受机械划伤及物理化学腐蚀。

4.如权利要求1至3任一项所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述硅太阳能电池还包括P+型层；

所述P+型层设置于所述背面电极与所述P型基体之间；

所述P+型层的掺杂浓度大于所述P型基体的掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述背面电极为金属铝电极。

6.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括钝化层；

所述钝化层设置于所述N型半导体层及所述正面电极之间。

7.如权利要求6所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池还包括减反层；

所述减反层设置于所述钝化层与所述正面电极之间，用于增加进入所述钝化层中的光通量。

8.如权利要求7所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述减反层与所述钝化层为氮化硅。

9.一种晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供P型基体；

在所述P型基体的迎光面设置N型半导体层；

在所述P型基体的背光面设置介质层，所述介质层为带高固定正电荷的介质层；

在所述N型半导体层表面设置正面电极，并在所述介质层表面按照预设图案设置背面电极，使所述背面电极能与所述P型基体接触，得到所述晶硅太阳能电池。

10.如权利要求9所述的晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述介质层表面按照预设图案设置背面电极具体包括：

在所述介质层表面按照预设图案印刷铝浆；

将印刷过铝浆的P型基体过烧结，完成金属化，得到所述背面电极。

CN109494264A说明书