CN109680265B 一种石墨舟及其制作方法 （浙江晶科能源有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109680265B公告日2020.10.02

(21)申请号201811593618.8

(22)申请日2018.12.25

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109680265A

(43)申请公布日2019.04.26

(73)专利权人浙江晶科能源有限公司

地址314416浙江省嘉兴市海宁市袁花镇

袁溪路58号

专利权人晶科能源有限公司

(72)发明人熊诗龙金井升王东赵迎财

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227代理人罗满

(51)Int.CI.

C23C16/513(2006.01)

C23C16/30(2006.01)

(56)对比文件

CN204857684U,2015.12.09

CN104282604A,2015.01.14

KR20180115149A,2018.10.22

KR20180116819A,2018.10.26

CN

207602536

U,2018.07.10

CN

103996741

A,2014.08.20

CN

103160803

A,2013.06.19

CN

106972066

A,2017.07.21

CN

107287579

A,2017.10.24

审查员刘德全

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种石墨舟及其制作方法

(57)摘要

CN109680265B本申请公开了一种石墨舟，包括石墨舟片、陶瓷杆、石墨杆、石墨块以及工艺卡点，所述陶瓷杆用于固定所述石墨舟片，所述石墨杆用于固定所述石墨舟片与所述石墨块，所述石墨舟表面设置有预设厚度的氮氧化硅。本申请中的石墨舟表面设置有预设厚度的氮氧化硅，在对硅片镀氮化硅膜过程中，将硅片放置在石墨舟中，由于石墨舟表面有预设厚度的氮氧化硅，氮化硅与氮氧化硅材质相似，两者间的摩擦系数在0.02左右，显

CN109680265B

CN109680265B权利要求书1/1页

2

1.一种石墨舟，其特征在于，包括石墨舟片、陶瓷杆、石墨杆、石墨块以及工艺卡点，所述陶瓷杆用于固定所述石墨舟片，所述石墨杆用于固定所述石墨舟片和所述石墨块，所述石墨舟表面设置有预设厚度的氮氧化硅；

其中，所述氮氧化硅是在预设条件下制得的，所述预设条件为温度在450℃-475℃、沉积时间在1100s-1300s、SiH?气体和N?0气体的流量分别在350sccm-450sccm和4500sccm-5000sccm、沉积压力在1800mTorr-2000mTorr、沉积功率在5800W-6500W,包括所有端点值。

2.如权利要求1所述的石墨舟，其特征在于，所述预设厚度的取值范围为75nm-80nm,包括端点值。

3.一种石墨舟制作方法，其特征在于，包括：

将空石墨舟放入PECVD炉管中；

对所述PECVD炉管进行预处理；

对所述空石墨舟沉积氮氧化硅，以得到石墨舟；

其中，所述对所述空石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制温度在450℃-475℃,包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制沉积时间在1100s-1300s,包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制SiH?气体和N?O气体的流量分别在350sccm-450sccm和4500sccm-5000sccm,包括所有端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制沉积压力在1800mTorr-2000mTorr,包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制沉积功率在5800W-6500W,包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅。

4.如权利要求3所述的石墨舟制作方法，其特征在于，所述预处理包括：

向所述PECVD炉管通入惰性气体，以去除所述PECVD炉管内的空气；

对所述PECVD炉管抽真空。

5.如权利要求4所述的石墨舟制作方法，其特征在于，在所述对所述空石墨舟沉积氮氧化硅，以得到石墨舟之后还包括：

向所述PECVD炉管通入所述惰性气体，以去除所述PECVD炉管内的沉积气体；

从所述PECVD炉管中退出所述石墨舟。

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