CN109541745B 一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109541745B公告日2020.08.11

(21)申请号201811529297.5

(22)申请日2018.12.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109541745A

(43)申请公布日2019.03.29

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人帅垚乔石珺高琴吴传贵罗文博王韬张万里

(56)对比文件

CN103259190A,2013.08.21

CN103308476A,2013.09.18

CN1893334A,2007.01.10

CN103487406A,2014.01.01

CN104283109A,2015.01.14

CN105759467A,2016.07.13

KR20130069143A,2013.06.26US6411752B1,2002.06.25

审查员邹丽娜

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

51203

代理人张杨吴姗霖

(51)Int.CI.

GO2B6/12(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法

(57)摘要

CN109541745B本发明提供一种耦合区改进型的微环谐振器及其制作方法，属于集成光学领域。该器件包括衬底1、键合层2、直波导4、介质层6、跑道型波导7,所述键合层2设置于衬底1上方，所述介质层6设置于键合层2上方，所述直波导4设置于介质层6中，所述跑道型波导7的直道部分在直波导4的正上方，其特征在于，还包括埋槽3,所述埋槽3设置于耦合区中的键合层2内，并位于直波导4的正下方，埋槽3的折射率小于衬底1的折射率。本发明中所采用埋槽结构，既可以减少光场在传输过程中的泄露损耗，又可以促使光场向其他介质

CN109541745B

CN109541745B权利要求书1/2页

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1.一种耦合区改进型的微环谐振器，包括衬底(1)、键合层(2)、直波导(4)、介质层(6)、跑道型波导(7),所述键合层(2)设置于衬底(1)上方，所述介质层(6)设置于键合层(2)上方，所述直波导(4)设置于介质层(6)中，所述跑道型波导(7)的直道部分在直波导(4)的正上方，其特征在于，还包括埋槽(3),所述埋槽(3)设置于耦合区中的键合层(2)内，并位于直波导(4)的正下方，埋槽(3)的折射率小于衬底(1)的折射率。

2.如权利要求1所述的耦合区改进型的微环谐振器，其特征在于，所述埋槽(3)为折射率低于1.5的介质材料或者空腔。

3.如权利要求1所述的耦合区改进型的微环谐振器，其特征在于，所述埋槽(3)设置于整条直波导(4)下方，或直波导(4)和跑道型波导(7)的环形部分下方。

4.如权利要求1所述的耦合区改进型的微环谐振器，其特征在于，所述埋槽(3)的宽度不小于光泄漏模场的宽度，所述埋槽(3)的深度不小于光泄漏模场的深度。

5.如权利要求2所述的耦合区改进型的微环谐振器，其特征在于，所述埋槽(3)为空腔且宽度大于直波导(4)宽度时，在埋槽(3)上方制作一层支撑层结构以避免波导芯层出现塌陷，所述支撑层结构材料为SiO?或Si?N4,支撑层厚度不超过1μm。

6.如权利要求1所述的耦合区改进型的微环谐振器，其特征在于，所述直波导(4)在耦合区的断面收窄形成收窄形状，收窄形状与直波导(4)等高，所述收窄形状为梯形(5)或哑

铃形。

7.如权利要求1所述的耦合区改进型的微环谐振器，其特征在于，所述介质层(6)上方设置有包层(8),所述跑道型波导(7)设置于包层(8)内。

8.一种微环调制器，其特征在于，在权利要求1所述耦合区改进型的微环谐振器的直波导(4)上下和跑道型波导(7)的上下都沉积一层金属层来制作电极，通过施加电场改变波导材料折射率以实现微环调制器的功能。

9.一种如权利要求7所述的耦合区改进型微环谐振器的制作方法，该方法包括以下步骤：

步骤1.对波导层薄膜材料进行离子注入，使其表面形成离子注入层；

步骤2.采用牺牲层工艺制备埋槽图形，具体做法为：采用光刻