半导体器件物理实验教程课件：数字集成电路单元的工艺流程设计.pptxVIP

数字集成电路单元的工艺流程设计实验

实验目录实验目的01实验原理实验设备及器材实验内容实验注意事项实验步骤思考题实验背景02030405060708

数字集成电路产品应用领域十分广泛，数字集成电路的设计技术已经成熟。集成电路反向设计是一种重要的集成电路设计方法，数字集成电路版图的反向提取是数字集成电路反向设计方法中的重要关键环节之一。实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题

现代IC产业的市场竞争十分激烈，所有产品都是日新月异，使得各IC设计公司必须不断研发新产品，维持自身企业的竞争力。IC设计公司常常要根据市场需求进入一个全然陌生的应用和技术领域，这是一件高风险的投资行为。并且及时了解同类竞争对手芯片的成本和技术优势成为必然的工作。如果让工程师在最短的时间以最有效率的方式设计电路才是最难解决的问题，逆向工程看来是其中一个解决方案。逆向工程能将整颗IC从封装，制成到线路布局，使用将内部结构，尺寸，材料，制成与步骤一一还原，并能通过电路提取将电路布局还原成电路设计。实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题

1、掌握对CMOS数字集成电路单元版图进行电路的反向提取、绘制整理和功能分析等。2、提高对半导体器件和数字集成电路版图的认知能力和对电路整理与结构优化技能。3、加强对数字集成电路反向设计思想的理解，能够灵活运用所学“半导体物理”、“场效应器件物理”、“数字集成电路设计”和“集成电路制造技术”等理论知识的能力。实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题

一、CMOS工艺简介在现代集成电路工艺技术中，CMOS工艺技术占据重要位置，得到了广泛的应用。P型衬底N阱CMOS工艺的主要工艺技术包括有：氧化技术、光刻技术、刻蚀技术、离子注入技术和淀积技术等。各种工艺技术多次出现，达到了对半导体器件和集成电路图形的逐一加工处理。最终形成了图形化的半导体器件和集成电路。实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题

氧化技术用于生长氧化层，包括干氧、湿氧等主要方法，氧化层主要作用有：栅绝缘介质、杂质掩蔽和隔离保护等。光刻技术是通过紫外光或电子束对涂有光刻胶的衬底进行照射，利用光刻胶在光照前后溶解性的变化，实现光刻掩膜版到衬底上的图形转移，为后续加工工艺开设窗口。刻蚀技术是采用化学或物理的方法对一定区域的材料进行腐蚀的技术，是实现对多余材质进行去除的一项技术。离子注入是通过加速杂质离子并将杂质离子打入靶材料的一种掺杂技术。可以实现P型和N型杂质的掺入。淀积技术是通过物理化学方法在基片上生长材料的一种技术。可以实现多晶硅栅材料的生长等。实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题目前主要的CMOS工艺分为P阱工艺、N阱工艺和双阱工艺三种。不同工艺下的器件剖面图如左图所示，其中最为常用的是N阱工艺。双阱工艺P阱工艺N阱工艺

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题1、掩膜1：N阱光刻N阱工艺需经历7次光刻，具体的工艺流程如左图所示：

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题2、掩膜2：光刻有源区N阱工艺需经历7次光刻，具体的工艺流程如左图所示：其中，有源区即为NMOS、PMOS晶体管形成的区域。

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题3、掩膜3：光刻多晶硅N阱工艺需经历7次光刻，具体的工艺流程如左图所示：

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题4、掩膜4：N+区光刻N阱工艺需经历7次光刻，具体的工艺流程如左图所示：

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题5、掩膜5：P+区光刻N阱工艺需经历7次光刻，具体的工艺流程如左图所示：

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题6、掩膜6：光刻接触孔N阱工艺需经历7次光刻，具体的工艺流程如左图所示：

实验背景实验目的实验原理设备及器材实验内容注意事项实验步骤思考题7、掩膜7