CN109148637B 具有阶梯光栅结构的单光子雪崩二极管探测器及制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN109148637B公告日2020.10.02

(21)申请号201811099642.6

(22)申请日2018.09.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109148637A

(43)申请公布日2019.01.04

(73)专利权人南京邮电大学

地址210003江苏省南京市鼓楼区新模范

马路66号

(72)发明人孙飞阳徐跃吴仲

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204

代理人李琼

(51)Int.CI.

HO1L31/107(2006.01)

HO1L31/0232(2014.01)

H01L31/18(2006.01)审查员贾翠乐

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

具有阶梯光栅结构的单光子雪崩二极管探测器及制作方法

(57)摘要

CN109148637B本发明公开了一种具有阶梯光栅结构的单光子雪崩二极管探测器及制作方法，该二极管探测器沿竖直方向从下往上依次包括有源区、内层介质区、金属隔离介质区和顶部介质区；所述金属隔离介质区内设有第一金属互连区和阶梯光栅结构；所述顶部介质区内