CN109148302A 一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109148302A

(43)申请公布日2019.01.04

(21)申请号201810809677.8

(22)申请日2018.07.23

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人曾绍海左青云黄仁东王全李铭

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华张磊

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法

(57)摘要

CN109148302A本发明公开了一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上依次淀积金属栅薄膜和高K金属薄膜；在金属栅薄膜和高K金属薄膜上淀积二氧化硅薄膜并图形化，形成鳍的图形；以氢气为还原剂，将二氧化硅还原成硅；第一次图形化高K金属薄膜和金属栅薄膜，形成位于鳍下方的高K金属图形和金属栅图形；再次淀积高K金属薄膜和金属栅薄膜，第二次图形化高K金属薄膜和金属栅薄膜，形成从四周包围鳍的高K金属图形和金属栅图形。本发明增

CN109148302A

点。

提供一半导体衬底，在半导体衬底上依次淀积金属栅薄

提供一半导体衬底，在半导体衬底上依次淀积金属栅薄膜和高K金属薄膜

在金属栅薄膜和高K金属薄膜上淀积一层二氧化硅薄膜

图形化二氧化硅薄膜，形成鳍的图形

以氢气为还原剂，将鳍的二氧化硅材料还原成硅

第一次图形化高K金属薄膜，形成位于鳍下方的高K金属图

第一次图形化金属栅薄膜，形成位于鳍下方的金属栅图形

在上述结构表面再次淀积高K金属薄膜

第二次图形化高K金属薄膜，形成从四周包围鳍的高K金属图形

在上述结构表面再次淀积金属栅薄膜

第二次图形化金属栅薄膜，形成从四周包围鳍和高K金属图形的金属栅图形

S01

S02

S03

S04

S05

S06

S07

S08

S09

S10

CN109148302A权利要求书1/1页

2

1.一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次淀积金属栅薄膜和高K金属薄膜；

在所述金属栅薄膜和高K金属薄膜上淀积一层二氧化硅薄膜；

图形化二氧化硅薄膜，形成鳍的图形；

以氢气为还原剂，将鳍的二氧化硅材料还原成硅；

第一次图形化高K金属薄膜，形成位于鳍下方的高K金属图形；

第一次图形化金属栅薄膜，形成位于鳍下方的金属栅图形；

在上述结构表面再次淀积高K金属薄膜；

第二次图形化高K金属薄膜，形成从四周包围鳍的高K金属图形；

在上述结构表面再次淀积金属栅薄膜；

第二次图形化金属栅薄膜，形成从四周包围鳍和高K金属图形的金属栅图形。

2.根据权利要求1所述的全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，第一次图形化高K金属薄膜时，使形成的位于鳍下方的高K金属图形的宽度与鳍的宽度一致，且位置对齐。

3.根据权利要求1所述的全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，第一次图形化金属栅薄膜时，使形成的位于鳍下方的金属栅图形与鳍的图形中心对齐，且金属栅图形的两个侧面凸出于鳍的两个侧面。

4.根据权利要求3所述的全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属栅图形的每个侧面凸出于鳍的侧面1nm～5nm。

5.根据权利要求1所述的全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，采用低温ALD工艺制造方法淀积二氧化硅薄膜，其淀积温度为50～200℃。

6.根据权利要求1所述的全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，采用去耦合等离子体氢的方法，将鳍的二氧化硅材料还原成硅。

7.根据权利要求6所述的全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，还原时的功率是25～900W,氢气的流量是200～500sccm。

8.根据权利要求1所述的全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，根据设计所需的材料为硅的鳍的高度和宽度尺寸，并根据二氧化硅与硅之间的还原体积比关系，确定材料为二氧化硅的鳍的