CN109378389A 钙钛矿太阳能电池及制作方法 （华中科技大学鄂州工业技术研究院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN109378389A

(43)申请公布日2019.02.22

(21)申请号201810962342.X

(22)申请日2018.08.22

(71)申请人华中科技大学鄂州工业技术研究院地址436044湖北省鄂州市梧桐湖新区凤

凰大道特一号

申请人华中科技大学

(72)发明人陈炜陈锐

(74)专利代理机构北京众达德权知识产权代理有限公司11570

代理人徐松

(51)Int.CI.

H01L51/46(2006.01)

H01L51/42(2006.01)

H01L51/44(2006.01)

H01L51/48(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图7页

(54)发明名称

钙钛矿太阳能电池及制作方法

(57)摘要

CN109378389A本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及制作方法，属于太阳能电池制备技术领域，包括惰性半金属电极层、电子传输层、钙钛矿薄膜层、空穴传输层、透明导电电极和玻璃衬底，电子传输层设置有第一侧面和第二侧面，电子传输层通过第一侧面设置在惰性半金属电极层上；钙钛矿薄膜层设置有第三侧面和第四侧面，钙钛矿薄膜层通过第三侧面设置在第二侧面上；空穴传输层设置有第五侧面和第六侧面，空穴传输层通过第五侧面设置在第四侧面上；透明导电电极设置有第七侧面和第八侧面，透明导电电极通过第七侧面设置在第六侧面上；玻璃衬底设置有第九侧面和第十侧面，玻璃衬底通过第九侧面设置在第八侧

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CN109378389A权利要求书1/2页

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1.一种钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池包括：

惰性半金属电极层；

电子传输层，所述电子传输层设置有第一侧面和第二侧面，所述电子传输层通过所述第一侧面设置在所述惰性半金属电极层上；

钙钛矿薄膜层，所述钙钛矿薄膜层设置有第三侧面和第四侧面，所述钙钛矿薄膜层通过所述第三侧面设置在所述第二侧面上，且所述第二侧面位于所述第三侧面和所述第一侧面之间；

空穴传输层，所述空穴传输层设置有第五侧面和第六侧面，所述空穴传输层通过所述第五侧面设置在所述第四侧面上，且所述第四侧面位于所述第五侧面和所述第三侧面之间；

透明导电电极，所述透明导电电极设置有第七侧面和第八侧面，所述透明导电电极通过所述第七侧面设置在所述第六侧面上，且所述第六侧面位于所述第七侧面和所述第五侧面之间；

玻璃衬底，所述玻璃衬底设置有第九侧面和第十侧面，所述玻璃衬底通过所述第九侧面设置在所述第八侧面上，且所述第八侧面位于所述第九侧面和所述第七侧面之间。

2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：

所述惰性半金属电极层的制作材料是Bi元素。

3.如权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：

所述惰性半金属电极层的厚度范围从200nm到5μm。

4.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：

所述电子传输层的制作材料是PCBM材料；

所述空穴传输层的制作材料是Ni0材料，且所述空穴传输层和所述电子传输层相平行。

5.如权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池还包括：

FTO电极层，所述FTO电极层和所述第十侧面相贴合，且所述第十侧面位于所述FTO电极层和所述第九侧面之间。

6.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：

所述惰性半金属电极层的制作材料是Sb元素。

7.如权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：

所述惰性半金属电极层的厚度范围从200nm到5μm。

8.如权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：

所述电子传输层的制作材料是PCBM材料；

所述空穴传输层的制作材料是Ni0材料，且所述空穴传输层和所述电子传输层相平行。

9.如权利要求8所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池还包括：

FTO电极层，所述FTO电极层和所述第十侧面相贴合，且所述第十侧面位于所述FTO电极层和所述第九侧面之间。

10.一种钙钛矿太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述钙钛矿太阳能电池的制作方法包括：

CN109378389A权利要求书